[发明专利]一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器有效
申请号: | 201910490764.6 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN110380172B | 公开(公告)日: | 2020-11-17 |
发明(设计)人: | 刘晓贤;朱樟明;杨银堂;刘阳;卢启军;尹湘坤 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 张捷 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 堆叠 式差分双通带 微波 带通滤波器 | ||
1.一种双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器,其特征在于,包括自上而下依次设置的上金属层(1)、上石英基板(2)、中间金属层(3)、下石英基板(4)和下金属层(5),其中,
所述上金属层(1)上设置有用作差分输入端口的第一金属片(6)和第二金属片(7),以及用作差分输出端口的第三金属片(8)和第四金属片(9);
所述上石英基板(2)上设置有多个第一金属导体柱(21),所述第一金属导体柱(21)的两端分别与所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)接触;所述下石英基板(4)上设置有多个第二金属导体柱(41),所述第二金属导体柱(41)的两端分别与所述中间金属层(3)和所述下金属层(5)接触;
所述中间金属层(3)上开设有多个辐射窗口以及绕所述辐射窗口分布的多个耦合窗口,所述多个辐射窗口和所述多个耦合窗口均联通所述上石英基板(3)与所述下石英基板(5);
多个所述第一金属导体柱(21)在所述上石英基板(2)上形成对称的两个上长方形结构,并且多个所述第一金属导体柱(21)、所述上金属层(1)和所述中间金属层(3)在所述两个上长方形结构处分别形成第一阶谐振腔(R1)和第四阶谐振腔(R4);
所述中间金属层(3)中开设有第一辐射窗口(301)、第二辐射窗口(302)、第三辐射窗口(303)和第四辐射窗口(304),其中,所述第一辐射窗口(301)和所述第二辐射窗口(302)对称分布在所述第一阶谐振腔(R1)的下方;所述第三辐射窗口(303)和所述第四辐射窗口(304)对称分布在所述第四阶谐振腔(R4)的下方;
所述中间金属层(3)上还开设有位于同一列的第一耦合窗口(305)、第二耦合窗口(306)、第三耦合窗口(307)和第四耦合窗口(308);以及位于同一列的第五耦合窗口(309)、第六耦合窗口(310)、第七耦合窗口(311)、第八耦合窗口(312);
所述第一耦合窗口(305)、所述第二耦合窗口(306)、所述第三耦合窗口(307)和所述第四耦合窗口(308)、所述第五耦合窗口(309)、所述第六耦合窗口(310)、所述第七耦合窗口(311)和所述第八耦合窗口(312)均位于第一阶谐振腔(R1)的下方;
所述中间金属层(3)上还开设有位于同一列的第九耦合窗口(313)、第十耦合窗口(314)、第十一耦合窗口(315)和第十二耦合窗口(316);以及位于同一列的第十三耦合窗口(317)、第十四耦合窗口(318)、第十五耦合窗口(319)、第十六耦合窗口(320);
所述第九耦合窗口(313)、所述第十耦合窗口(314)、所述第十一耦合窗口(315)、所述第十二耦合窗口(316)、所述第十三耦合窗口(317)、所述第十四耦合窗口(318)、所述第十五耦合窗口(319)、所述第十六耦合窗口(320)均位于第四阶谐振腔(R4)的下方。
2.根据权利要求1所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器,其特征在于,所述上石英基板(2)上开设有多个上石英基板通孔(22),每个所述上石英基板通孔(22)中均填充有一个所述第一金属导体柱(21);
所述下石英基板(4)下开设有多个下石英基板通孔(42),每个所述下石英基板通孔(42)中均填充有一个所述第二金属导体柱(41)。
3.根据权利要求1所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器,其特征在于,所述第一金属片(6)和所述第二金属片(7)的至少一部分延伸到第一阶谐振腔(R1)的上方,所述第三金属片(8)和所述第四金属片(9)的至少一部分延伸到第四阶谐振腔(R4)的上方。
4.根据权利要求3所述的双层堆叠式差分双通带微波带通滤波器,其特征在于,所述上金属层(1)的第一侧壁上开设有第一凹槽(11)和第二凹槽(12),所述第一金属片(6)形成于第一凹槽(11)中,第二金属片(7)形成于第二凹槽(12)中;
所述上金属层(1)的与所述第一侧壁相对的第二侧壁上开设有第三凹槽(13)和第四凹槽(14),第三金属片(8)形成于第三凹槽(13)中,第四金属片(9)形成于第四凹槽(14)中。
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