[发明专利]一种发射极局部高掺杂的IBC电池及其制备方法

权利要求书

1.一种发射极局部高掺杂的IBC电池，其特征在于，包括N型单晶硅基体(1)，前表面N+掺杂层(2)，减反射层(3)，背表面N+掺杂层(4)，背表面钝化层(5)，背表面P+掺杂层(6)，P++掺杂区(7)，背表面钝化层(8)，正电极(9)，负电极(10)，所述P++掺杂区(7)位于所述背表面钝化层(8)中靠近所述正电极(9)的区域，所述背表面P+掺杂层(6)与所述背表面钝化层(8)呈叉指状排列，所述正电极(9)与所述背表面钝化层(8)连接，所述负电极(10)与所述背表面钝化层(5)连接。

2.一种如权利要求1所述的发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，制造步骤如下：

S1、选择N型单晶硅片作为基体，并进行双面制绒处理；

S2、使用低压高温扩散炉对硅片背表面进行硼扩散；

S3、使用PECVD设备在硅片背面沉积氮化硅膜；

S4、使用低压高温扩散炉对硅片前表面进行磷扩散形成FSF；

S5、使用激光开槽设备对硅片背表面N型BSF区域进行开槽；

S6、使用低压高温扩散炉对硅片背面激光开槽区域进行磷扩散；

S7、使用PECVD设备在硅片正反面沉积氮化硅膜；

S8、使用激光开槽设备对P型发射极中心区域的氮化硅层进行激光开槽；

S9、使用低压高温扩散炉对激光开槽区域进行单面硼扩散；

S10、对硅片进行丝网印刷银浆和铝浆形成正负电极；

S11、放入烧结炉进行烧结，烧结温度为700-1000℃，最终得到IBC电池。

3.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S1步骤中的N型单晶硅基体(1)的厚度为140-180μm，电阻率为1-10Ω·cm。

4.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S2步骤中的扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后N+掺杂层(2)的方块电阻为100-160Ω·cm，结深为0.01-0.5μm。

5.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S3步骤中硅片背面沉积氮化硅膜的膜厚为30-60nm。

6.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S4步骤中硅片前表面进行磷扩散的扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后背表面钝化层(5)的方块电阻为70-160Ω·cm，结深为0.01-1μm。

7.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S6步骤的硅片背面磷扩散的扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后背表面钝化层(8)的方块电阻为80-160Ω·cm，结深为0.01-1μm。

8.根据权利要求2所述的一种发射极局部高掺杂的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述S9步骤的硼扩散扩散温度为800-1100℃，扩散时间为10-50分钟，扩散后P++掺杂区(7)的方块电阻为60-160Ω·cm，结深为0.01-1μm。