[发明专利]一种新型MOS管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910491143.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110085561A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 吴梦;张仁龙;周爱芬 | 申请（专利权）人： | 上海金卫实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L29/78;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201500 上海市金山区金山工业*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷片 制备 侧壁 锡膏 加热 金属浆料印刷 大小不一 高温加热 散热系数 散热组件 体积缩小 印刷锡膏 弧形槽 回流炉 金属层 散热块 烧结炉 烧结 放入 圆孔 | ||
1.一种新型MOS管，包括MOS管本体（1），其特征在于，所述MOS管本体（1）的侧壁通过锡膏黏贴有陶瓷片（2），所述MOS管本体（1）的中部开设有第一圆孔（4），至少一部分的所述MOS管本体（1）的侧壁开设有大小不一的弧形槽（3）。
2.根据权利要求1所述的一种新型MOS管，其特征在于，还包括开设在陶瓷片（2）表面的第二圆孔。
3.根据权利要求1或2所述的一种新型MOS管，其特征在于，所述陶瓷片（2）四周还可以倒圆角（22）或者切三角（21）。
4.一种新型MOS管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将金属浆料印刷在陶瓷片（2）上，烧结炉高温烧结500-900℃，加热时间为30-60min；
S2、在所述步骤S1制备的金属层上印刷锡膏；
S3、将MOS管本体（1）粘在锡膏上，放入回流炉内烧结温度180-220℃，加热时间为10-20min。
5.根据权利要求4所述的一种新型MOS管的制备方法，其特征在于，所述金属浆料可以是银、钯、铜、金的一种或多种混合而成。
6.根据权利要求4所述的一种新型MOS管的制备方法，其特征在于，所述锡膏可采用含铅锡膏或无铅锡膏。
7.根据权利要求4所述的一种新型MOS管的制备方法，其特征在于，所述陶瓷片（2）可以是氧化铝或氧化铍或氮化铝等一系列陶瓷基体。
8.根据权利要求4所述的一种新型MOS管的制备方法，其特征在于，所述金属浆料印刷在陶瓷片上的丝网为200-400目。
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