[发明专利]混合驱动电路

说明书

一种混合驱动电路，根据输入信号驱动并联耦接的第一特性晶体管与第二特性晶体管，且混合驱动电路包括第一导通路径、第一关断路径、第二导通路径及第二关断路径。第一导通路径与第二导通路径产生第一延迟时间，第一延迟时间使第一特性晶体管延后导通。第一关断路径与第二关断路径产生第二延迟时间，第二延迟时间使第二特性晶体管延后关断。

技术领域

本发明有关一种混合驱动电路，特别涉及一种驱动不同特性晶体管的混合驱动电路。

背景技术

在电力电子的领域中，绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor；IGBT)与金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)为常见的功率开关元件。若是考虑切换频率，绝缘栅双极晶体管通常适用于20kHz以下的开关电路，而切换频率若是在20kHz以上通常是利用金属氧化物半导体场效晶体管作为开关电路。

以切换频率作为功率开关元件的选择，其主要原因是不同开关元件特性对于效率的影响。具体而言，绝缘栅双极晶体管的导通损失(conduction losses)较低，切换损失(switching losses)较高。其利用在高频切换时，较高的切换损失会消耗较多的功率(金属氧化物半导体场效晶体管恰巧相反)，造成效率的低落。但是，在开关电路的设计中，大多仅选择单一种类的功率开关元件。为了缩小电路体积，更高的切换频率已是趋势，然而单一特性的功率元件并无法有效降低功率损耗。

所以，如何设计出一种混合驱动电路驱动不同特性的功率开关元件，兼具两种功率开关元件的优点，乃为本公开发明人所欲行研究的一大课题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种混合驱动电路，以克服现有技术的问题。因此，本发明混合驱动电路，根据输入信号驱动并联耦接的第一特性晶体管与第二特性晶体管，混合驱动电路包括：第一支路与第二支路，第一支路包括：第一导通路径，根据输入信号的上升沿导通第一特性晶体管。及第一关断路径，根据输入信号的下降沿关断第一特性晶体管。第二支路，包括：第二导通路径，根据上升沿导通第二特性晶体管。及第二关断路径，根据下降沿关断第二特性晶体管。其中，第一导通路径与第二导通路径产生第一延迟时间，第一延迟时间使第一特性晶体管延后导通；第一关断路径与第二关断路径产生第二延迟时间，第二延迟时间使第二特性晶体管延后关断。

为了能更进一步了解本发明为实现预定目的所采取的技术、手段及技术效果，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得一深入且具体的了解，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1为本发明混合驱动电路第一实施例的电路方框示意图；

图2A为本发明混合驱动电路导通绝缘栅双极晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管的波形示意图；

图2B为本发明混合驱动电路关断绝缘栅双极晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管的波形示意图；

图3A为本发明混合驱动电路导通绝缘栅双极晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管的导通路径示意图；

图3B为本发明混合驱动电路导通绝缘栅双极晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管的关断路径示意图；

图4为本发明混合驱动电路第二实施例的电路方框示意图；

图5A为本发明具有光耦驱动模块的混合驱动电路第一实施例的方框示意图；

图5B为本发明具有光耦驱动模块的混合驱动电路第二实施例的方框示意图；

图6为本发明光耦驱动模块的电路方框示意图；及

图7为本发明斜率调整电路的电路方框示意图。