[发明专利]一种用于功率放大器的偏置电路及功率放大器

权利要求书

1.一种用于功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括第二端与功率放大器的射频功率管的基极连接的温度补偿支路和第一端与所述射频功率管的基极连接的线性补偿支路；

其中，所述温度补偿支路包括电流镜、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一晶体管、第二晶体管和镇流电阻；所述第一电阻的第一端、所述第二电阻的第一端、所述第三电阻的第一端和所述第一晶体管的集电极均与直流电源连接，所述第一电阻的第二端与所述电流镜的输入端连接，所述第二电阻的第二端与所述电流镜的输出端以及所述第一晶体管的基极连接，所述第三电阻的第二端、所述第二晶体管的集电极、所述输出管的发射极以及所述电流镜的电压固定点连接，所述第二晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的基极以及所述镇流电阻的第一端连接，所述镇流电阻的第二端为所述温度补偿支路的第二端。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述电流镜具体为威尔逊电流镜，所述威尔逊电流镜包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管；

其中，所述第三晶体管的集电极为所述威尔逊电流镜的输入端，所述第四晶体管的集电极为所述威尔逊电流镜的输出端，所述第四晶体管的基极与所述第三晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的发射极、所述第五晶体管的集电极、所述第五晶体管的基极以及所述第三晶体管的基极连接，所述第三晶体管的发射极和所述第五晶体管的发射极共地；

所述第三晶体管的基极与所述第五晶体管的基极的连接点为所述电压固定点。

3.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述电流镜具体为威尔逊电流镜，所述威尔逊电流镜包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管；

其中，所述第六晶体管的集电极为所述威尔逊电流镜的输入端，所述第四晶体管的集电极为所述威尔逊电流镜的输出端，所述第六晶体管的集电极与所述第六晶体管的基极以及所述第四晶体管的基极连接，所述第六晶体管的发射极与所述第三晶体管的集电极连接，所述第四晶体管的发射极、所述第五晶体管的集电极、所述第五晶体管的基极以及所述第三晶体管的基极连接，所述第三晶体管的发射极和所述第五晶体管的发射极共地；

所述第三晶体管的基极与所述第五晶体管的基极的连接点为所述电压固定点。

4.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，还包括设于所述第一晶体管的发射极与所述镇流电阻的第一端的连接点以及所述第二晶体管的基极之间的第四电阻。

5.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，还包括线性补偿所述线性补偿支路具体包括第一射频扼流线圈和多个第七晶体管；

其中，所述第一射频扼流线圈的第一端为所述线性补偿支路的第一端，所述第一射频扼流线圈的第二端与各所述第七晶体管的集电极以及各所述第七晶体管的基极连接，各所述第七晶体管的发射极共地。

6.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，线性补偿所述线性补偿支路具体包括第一射频扼流线圈、第七晶体管和第五电阻；

其中，所述第一射频扼流线圈的第一端为所述线性补偿支路的第一端，所述第一射频扼流线圈的第二端与所述第七晶体管的集电极、所述第七晶体管的基极以及所述第五电阻的第一端连接，所述第七晶体管的发射极与所述第五电阻的第二端共地。

7.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，还包括第六电阻、第八晶体管和第九晶体管；

其中，所述第六电阻的第一端与所述直流电源连接，所述第六电阻的第二端与所述第八晶体管的集电极以及所述第九晶体管的基极连接，所述第八晶体管的基极与数控信号源连接，所述第九晶体管的集电极与所述电流镜的输出端连接，所述第八晶体管的发射极和所述第九晶体管的发射极共地。