[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底具有相对的第一承载面和第二承载面；

在所述第二承载面上形成器件层；

在所述第一衬底内形成贯穿所述第一衬底的互连结构，所述互连结构包括第一端和第二端，所述第一端与所述器件层电连接，所述第一承载面暴露出所述第二端；

提供第二衬底，所述第二衬底具有相对的第一表面和第二表面；

在所述第二衬底内形成焊盘结构，所述焊盘结构自第一表面贯穿至第二表面；

在形成所述器件层、互连结构和所述焊盘结构之后，将所述第一表面朝向所述第一衬底的第一承载面键合所述第一衬底和第二衬底，使所述焊盘结构通过所述互连结构与所述器件层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述互连结构包括贯穿所述第一衬底的第一导电插塞。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，将所述第一表面朝向所述第二承载面键合所述第一衬底和第二衬底。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用压焊或丝焊工艺对所述第一衬底及所述第二衬底进行键合。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬底包括若干相互分立的第一单元区以及位于相邻第一单元区之间的第一切割道区；所述第一单元区包括像素区、包围所述像素区的逻辑区以及包围所述逻辑区和像素区的边缘区。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述器件层之前，还包括：在所述像素区内形成若干相互分立的光电掺杂区以及位于相邻光电掺杂区之间的第一隔离结构。

7.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述逻辑区上的器件层内具有逻辑电路结构；所述逻辑电路结构包括：晶体管、无源器件和第一导电结构中的一种或多种组合。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述边缘区上的器件层内具有第二导电结构；所述焊盘与所述第二导电结构电连接。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构与第二导电结构电连接。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构包括若干层重叠设置的第二导电层以及位于相邻两层第二导电层之间的第二导电插塞。

11.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一衬底的形成方法包括：在所述像素区内形成若干相互分立的光电掺杂区以及位于相邻光电掺杂区之间的第一隔离结构；在所述第二承载面上形成器件层；在形成所述光电掺杂区、第一隔离结构和器件层之后，对所述第一承载面进行减薄直至暴露出所述光电掺杂区，使所述第一衬底的厚度减小。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述第一承载面进行减薄之前，在所述器件层表面键合第一承载基底。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述第一承载面进行减薄之后，在所述第一承载面表面形成第一钝化层；所述第一钝化层的材料包括高K介质材料。

14.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二衬底包括：若干相互分立的第二单元区以及位于相邻第二单元区之间的第二切割道区；所述第二单元区包括第一区、包围所述第一区的第二区以及包围所述第二区和第一区的第三区；在将所述第一衬底和第二衬底相互键合之后，所述第一单元区和第二单元区重合，所述第一区和像素区重合，所述第二区和逻辑区重合，所述第三区和所述边缘区重合。