[发明专利]一种图像传感器有效

专利信息
申请号: 201910493107.7 申请日: 2019-06-06
公开(公告)号: CN110335877B 公开(公告)日: 2023-08-01
发明(设计)人: 杨鑫 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N25/78
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 贾伟;张颖玲
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,其特征在于,所述图像传感器包括:

像素单元,构成用于感光的阵列;

所述像素单元包含三个直径不同的光电二极管,所述三个直径不同的光电二极管的排列为等边三角形,且多个所述等边三角形能够拼接为六边形;所述像素单元中的任意两种直径对应的光电二极管与相邻像素的另一种直径对应的光电二极管处于同一水平线上;

所述光电二极管之间的间隔大于等于预设间隔阈值,以使所吸收的特定波长的光局限在所述光电二极管的内部。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,

所述光电二极管的形状满足特定形状,以使光沿着所述特定形状的任一方向产生的偏振之间的差值小于预设差值。

3.根据权利要求2所述的图像传感器,其特征在于,

所述光电二极管为亚波长的圆柱形光电二极管,且所述光电二极管吸收的特定波长为单一波长。

4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,

所述三角形的边长大于等于所述三个直径不同的光电二极管中任意两个光电二极管的直径与预设间隔阈值之和。

5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,

所述三个直径不同的光电二极管中相邻的光电二极管的直径不同。

6.根据权利要求1至5任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述光电二极管包括:

衬底;

硅柱,底面为所述衬底,用于在所述硅柱内注入预设量的磷离子,以形成反型层;

所述反型层位于所述硅柱内部,用于与所述硅柱内的空穴复合,以消除掉所述硅柱中的部分电子;

耗尽层位于所述硅柱内部,且所述耗尽层的底部到达所述衬底。

7.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述像素单元还包括:

转移晶体管,用于将感光阵列产生的电荷转移到浮动扩散区;

读出电路,用于读出转移到所述浮动扩散区中的电荷。

8.根据权利要求7所述的图像传感器,其特征在于,所述读出电路,包括:

复位晶体管,与所述浮动扩散区连接,用于复位所述浮动扩散区;

放大晶体管,与所述浮动扩散区连接,用于放大所述浮动扩散区中的电荷,得到放大的电荷;

选择晶体管,与所述放大晶体管连接,用于读出所述放大的电荷到输出电路;

所述输出电路,与所述选择晶体管连接,用于输出所述放大的电荷。

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