[发明专利]一种数据写入方法和装置、计算机可读存储介质在审
申请号: | 201910493272.2 | 申请日: | 2019-06-06 |
公开(公告)号: | CN110286853A | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 刘蕊丽;周世聪;陈思迪 | 申请(专利权)人: | 大唐微电子技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶丽;栗若木 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 擦除 擦除操作 存储空间 预设 写入 写操作 计算机可读存储介质 待写入数据 方法和装置 存储设备 接收数据 写入请求 直接执行 检测 擦写 申请 | ||
本申请公开了一种数据写入方法和装置、计算机可读存储介质,所述方法包括接收数据写入请求;检测预设大小的存储空间的数据是否是擦除后的数据;如果是擦除后的数据,则不执行擦除操作而直接执行硬件写操作,所述硬件写操作包括将待写入数据写入所述预设大小的存储空间;如果不是擦除后的数据,则执行擦除操作和硬件写操作。本申请通过检测预设大小的存储空间的数据是否是擦除后的数据,如果是擦除后的数据,则不执行擦除操作并直接将预设大小的待写入数据写入所述存储空间,减少了不必要的擦除操作,延长了存储设备的擦写寿命,节省了操作时间。
技术领域
本申请涉及但不限于计算机技术领域,尤其涉及一种数据写入方法和装置、计算机可读存储介质。
背景技术
由于工艺的演进,闪存(Flash)已经替代带电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM),成为片上系统(System on Chip,SOC)中主要的嵌入式存储器。然而,由于结构的差异,Flash存储器的寿命要远远低于EEPROM。为此,需要进行一系列的设计,以尽可能地改善Flash存储的可靠性。
发明内容
本申请提供了一种数据写入方法和装置、计算机可读存储介质,能够延长存储设备的擦写寿命。
本发明实施例提供了一种数据写入方法,包括:
接收数据写入请求;
检测预设大小的存储空间的数据是否是擦除后的数据;
如果是擦除后的数据,则不执行擦除操作而直接执行硬件写操作,所述硬件写操作包括将待写入数据写入所述预设大小的存储空间;
如果不是擦除后的数据,则执行擦除操作和硬件写操作。
在一种示例性实施例中,所述执行擦除操作和硬件写操作,包括:
检测所述待写入数据的大小是否是所述存储空间的整页数据;
如果是所述存储空间的整页数据,则对所述存储空间进行页面擦除操作,并将所述待写入数据写入所述存储空间中已擦除的页面。
在一种示例性实施例中,所述方法还包括:
如果不是所述存储空间的整页数据,则读出所述存储空间与所述待写入数据对应的页面的有效数据到缓存,将所述待写入数据更新到缓存的有效数据中,对所述存储空间进行页面擦除操作,并将缓存的已更新的有效数据写入所述存储空间。
在一种示例性实施例中,在执行硬件写操作时,所述方法还包括:
检测所述待写入数据是否与所述擦除后的数据相同;
如果所述待写入数据与所述擦除后的数据相同,则不执行硬件写操作;
如果所述待写入数据与所述擦除后的数据不相同,则执行硬件写操作。
在一种示例性实施例中,在所述硬件写操作执行完成后,所述方法还包括:
接收回读校验,并检测回读校验是否正确;
如果回读校验正确,则确定数据写入成功;
如果回读校验不正确,则检测所述硬件写操作的执行次数,如果执行次数大于N,则确定数据写入失败,其中,N为大于或等于2的自然数;
如果执行次数小于或等于N,则不执行擦除操作而直接再执行一次硬件写操作,并返回所述接收回读校验的步骤。
本发明实施例还提供了一种数据写入方法,包括:
在硬件写操作执行完成后,接收回读校验,并检测回读校验是否正确;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大唐微电子技术有限公司,未经大唐微电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910493272.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。