[发明专利]3D芯片封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910493293.4 | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN112053996A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 吴政达;吕娇;陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/482;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种3D芯片封装结构，其特征在于，所述3D芯片封装结构包括：
重新布线层，包括相对的第一表面及第二表面；
第一电连接结构，位于所述重新布线层的第一表面，且与所述重新布线层电连接；
第一塑封层，位于所述重新布线层的第一表面，且将所述第一电连接结构塑封；
第二电连接结构，位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第一电连接结构电连接；
第二塑封层，位于所述第一塑封层远离所述重新布线层的表面，且将所述第二电连接结构塑封；
芯片，倒装键合于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；
第三电连接结构，位于所述重新布线层的第二表面，且与所述重新布线层电连接；
第三塑封层，位于所述重新布线层的第二表面，且将所述第三电连接结构及所述芯片塑封；所述第三塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影位于所述第一塑封层的表面内；
金属引线层，位于所述第三塑封层远离所述重新布线层的表面，且与所述第三电连接结构电连接；
焊球凸块，位于所述金属引线层远离所述第三塑封层的表面。
2.根据权利要求1所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括：
布线介电层；
金属叠层结构，位于所述布线介电层内，所述金属叠层结构包括多层间隔排布的金属线层及金属插塞，所述金属插塞位于相邻所述金属线层之间，以将相邻的所述金属线层电连接。
3.根据权利要求1所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述第一电连接结构、所述第二电连接结构及所述第三电连接结构均包括焊线或导电柱。
4.根据权利要求1所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述3D芯片封装结构还包括：
第一层间介电层，位于所述第一塑封层与所述第二塑封层之间；
第一再布线金属层，位于所述第一层间介电层内，且与所述第一电连接结构及所述第二电连接结构电连接；
第二层间介电层，位于所述第二塑封层远离所述第一塑封层的表面；
第二再布线金属层，位于所述第二层间介电层内，且与所述第二电连接结构电连接。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述第二塑封层在所述第一塑封层的表面的正投影位于所述第一塑封层的表面内。
6.根据权利要求5所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述第三塑封层及所述第二塑封层在所述第一塑封层的同一表面的正投影相重合。
7.根据权利要求5所述的3D芯片封装结构，其特征在于：所述第三塑封层的厚度与所述第二塑封层的厚度相同，且所述第三塑封层的厚度及所述第二塑封层的厚度均小于所述第一塑封层的厚度。
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