[发明专利]一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法

权利要求书

1.一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一、选用辐照源对GaN HEMT样品器件进行辐照实验；

步骤二、辐照后对样品器件进行低频噪声测试，得到噪声功率密度谱；

步骤三、根据噪声功率密度谱，计算得到位移损伤造成的缺陷能量分布；

缺陷能量分布D(E₀)与噪声的温度依赖计算公式为：

其中，温度与噪声频率指数值的依赖关系为：

k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度，ω＝2πf，τ₀是载流子缺陷散射的特征时间，S_v(ω，T)是噪声功率密度谱，E₀＝-kTln(ωτ₀)是有效的陷阱激活能量，即在一个缺陷中介于两个亚稳态电荷之间的能量屏障。

2.根据权利要求1所述的一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于，所述步骤一中的辐照源包括但不限于质子辐照、中子辐照。

3.根据权利要求1所述的一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于，所述步骤二中所述GaN HEMT样品器件偏置在恒压电源供电的线性状态时，执行过量噪声测量；其中，低频噪声测试电路具体包括：

GaN HEMT样品器件的漏极通过电阻器连接至所述恒压电源，且漏极电压通过低频噪声放大器放大，所述低频噪声放大器输出端连接频谱分析仪，用于获取电流噪声功率密度谱。

4.根据权利要求3所述的一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于，低频噪声测试过程中，调节GaN HEMT样品器件栅压，使噪声源自于沟道的栅极部分。

5.根据权利要求1所述的一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于，所述步骤一之前还包括对GaN HEMT样品器件进行DC和RF参数测试。

6.根据权利要求5所述的一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，其特征在于，所述步骤二中，还包括辐照后对样品器件进行DC和RF参数测试。