[发明专利]一种具有传输零点的介质同轴低通滤波器

说明书

本发明基于表面部分敷金属的介质谐振器，提出了一种具有传输零点的介质同轴低通滤波器,其包括一个输入端口和一个输出端口，一根连接输入、输出端口的金属杆，固定在金属杆上的多个表面部分敷金属介质谐振器以及一个金属外壳。与传统金属同轴低通滤波器相比，表面部分敷金属介质谐振器的特有结构使得滤波边带处产生了一个传输零点，从而使得边带滚降系数大大提高，同时阻带抑制在整个阻带范围内有所提高。以本发明中的第一设计实例来说，同为五阶低通滤波器且尺寸相同，传统金属同轴低通滤波器的滚降系数约为48dB/GHz，而本发明的边带滚降系数约为364dB/GHz，提高了7.5倍左右；本发明的阻带抑制比传统金属同轴低通滤波器提高了至少5dB。

技术领域

本发明涉及一种具有传输零点的介质同轴低通滤波器，属于射频通信滤波技术领域。

背景技术

由于损耗低、阻带宽、功率容量大、结构和设计方法简单等优势，传统金属同轴低通滤波器被广泛应用于移动通信系统基站射频前端中，用以抑制带外干扰、系统间串扰等。传统金属同轴低通滤波器由高、低阻抗线构成，其中，高阻抗线等效为串联电感，低阻抗线等效为并联电容，以实现低通响应。然而，传统金属同轴结构只能设计切比雪夫响应的低通滤波器，其边带滚降系数和阻带抑制有限，有待进一步提高。

发明内容

本发明针对上述缺陷，目的在于提供一种结构合理，高所设计低通滤波器的滚降系数和阻带抑制的一种具有传输零点的介质同轴低通滤波器。

为此本发明采用的技术方案是：一种具有传输零点的介质同轴低通滤波器，所述滤波器包括有输入端口和输出端口，所述滤波器上设置有若干串联设置的高阻抗结构，相邻高阻抗结构之间设置有低阻抗结构和电容结构，对应的低阻抗结构和电容结构并联设置。

进一步的，在所述输入端口和输出端口之间设置有和所述输入端口、输出端口接触的金属杆；

在所述金属杆上设置有若干沿金属杆轴向设置的介质谐振器，所述介质谐振器上设置有金属层；

上述设置形成以下结构形式：输入端口和介质谐振器之间的金属杆、相邻介质谐振器之间的金属杆、介质谐振器和输出端口之间的金属杆形成高阻抗结构，所述各介质谐振器形成低阻抗结构，各介质谐振器上的金属层形成电容结构。

进一步的，所述各介质谐振器上部侧面及上端面的表面设置有上金属层、下部侧面及下端面的表面设置有下金属层，所述上金属层和下金属层形成电容结构。

进一步的，所述上金属层、下金属层形成对称结构形式。

进一步的，所述各介质谐振器上端面的表面设置有上金属层、下端面的表面设置有下金属层，所述上金属层和下金属层形成电容结构。

进一步的，所述金属层为银。

进一步的，所述各介质谐振器固定在所述金属杆上。

本发明的优点是：本发明用表面部分敷金属的介质谐振器替代传统金属同轴低通滤波器的低阻抗线，利用介质谐振器表面金属之间的串联电容效应引入传输零点，从而提高所设计低通滤波器的滚降系数和阻带抑制。

附图说明

图1为实施例一滤波器的结构示意图。

图2为实施例一的等效电路图。

图3为实施例一和传统金属同轴低通滤波器的仿真结果对比图。

图4为实施例二滤波器的结构示意图。

图5为实施例二的仿真结果图。

图6为实施例三滤波器的结构示意图。

图7为实施例三的仿真结果图。

具体实施方式