[发明专利]二次电子探测器、带电粒子光学成像设备及探测方法

权利要求书

1.一种二次电子探测器，仅用于探测二次电子，其特征在于，

自二次电子探测器所形成的探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离的圆环探测区，以通过所述圆环探测区接收自样品表面出射的二次电子，相互隔离的圆环探测区各自独立形成一个信号通道，并对所述圆环探测区接收二次电子所形成的子电流信号分别赋予权重系数，根据基于二次电子所形成的图像对权重系数予以调整。

2.根据权利要求1所述的二次电子探测器，其特征在于，所述圆环探测区对不同出射角度的二次电子分别探测。

3.根据权利要求1所述的二次电子探测器，其特征在于，自所述探测区对称中心径向向外形成至少三个相互隔离且宽度相等的圆环探测区。

4.根据权利要求1所述的二次电子探测器，其特征在于，至少三个相互隔离的圆环探测区按方位角被径向划分为至少两个隔离并呈扇形的第一子探测区。

5.根据权利要求4所述的二次电子探测器，其特征在于，所述至少三个相互隔离的圆环探测区按方位角被径向环形等分为至少两个相互隔离并呈扇形的第一子探测区。

6.根据权利要求1所述的二次电子探测器，其特征在于，所述探测区对称中心外设若干相互隔离的圆环探测区，并从对称中心形成至少一个圆环探测区，将余下的圆环探测区沿径向向外形成按方位角被径向划分为至少两个隔离并呈扇形的第二子探测区，所述圆环探测区与第二子探测区之间均呈隔离状态。

7.根据权利要求1、2、4或者5所述的二次电子探测器，其特征在于，多个相互隔离的圆环探测区的宽度自探测区对称中心径向向外逐渐递减。

8.根据权利要求7所述的二次电子探测器，其特征在于，多个圆环探测区的面积相等。

9.一种带电粒子光学成像设备，其特征在于，包括：用于产生带电粒子束的发射源，第一汇聚透镜，如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器，偏转器及第二汇聚透镜；

其中，

样品受入射的带电粒子束轰击所产生的二次电子在第二汇聚透镜所产生的磁场的引导下，到达二次电子探测器的表面，以被二次电子探测器所捕获。

10.一种带电粒子光学成像设备，其特征在于，包括：用于产生带电粒子束的发射源，第一汇聚透镜，如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器，偏转器、二次电子角度偏转器及第二汇聚透镜；

其中，

所述发射源与二次电子探测器形成旁轴设置；

样品受入射的带电粒子束轰击所产生的二次电子在第二汇聚透镜所产生的磁场的和二次电子角度偏转器的引导下，到达二次电子探测器的表面，以被二次电子探测器所捕获。

11.一种使用二次电子探测器对带电粒子探测的探测方法，其特征在于，所述探测方法基于如权利要求1至8中任一项所述的二次电子探测器实现，所述探测方法包括：

二次电子探测器所形成的圆环探测区基于接收二次电子形成独立的若干子电流信号；

对若干子电流信号分别赋予权重系数；

根据基于二次电子所形成的图像对权重系数予以调整。

12.一种使用二次电子探测器对带电粒子探测的探测方法，其特征在于，所述探测方法基于如权利要求4或者5所述的二次电子探测器实现，所述探测方法包括：

二次电子探测器所形成的第一子探测区基于接收二次电子形成独立的若干子电流信号；

对若干子电流信号分别赋予权重系数；

根据基于二次电子所形成的图像对权重系数予以调整。

13.一种使用二次电子探测器对带电粒子探测的探测方法，其特征在于，所述探测方法基于如权利要求6所述的二次电子探测器实现，所述探测方法包括：

二次电子探测器所形成的圆环探测区与第二子探测区基于接收二次电子形成独立的若干子电流信号；

对若干子电流信号分别赋予权重系数；

根据基于二次电子所形成的图像对权重系数予以调整。