[发明专利]一种光学传感器有效
申请号: | 201910495464.7 | 申请日: | 2019-06-10 |
公开(公告)号: | CN110346326B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 文龙;陈沁 | 申请(专利权)人: | 暨南大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;G01N21/552 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 刘巧霞 |
地址: | 510632 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 传感器 | ||
1.一种光学传感器,其特征在于,该光学传感器为表面光电压光学传感器,包括:自下而上的衬底,导电反射层,绝缘介质层和纳米结构层;所述纳米结构层为金属性质材料,并被制备为光栅结构;在导电反射层和纳米结构层上引线以输出电信号;
所述导电反射层的材料包括金、铂、银、铜、铝、钛、镍、铬、氮化钛和氮化锆中的至少一种;
所述导电反射层的厚度大于100纳米;
导电反射层、绝缘介质层和纳米结构层共同支持共振吸收表面局域模式;
当入射光的波长等于共振峰的波长时,产生的感应电势为零;当入射光的波长小于共振峰的波长时,纳米结构层得到电子,产生的感应电势小于零;当入射光的波长大于共振峰的波长时,纳米结构层失去电子,产生的感应电势大于零。
2.根据权利要求1所述的光学传感器,其特征在于,所述绝缘介质层为绝缘材料层或由透明导电氧化物和绝缘材料组成的复合层。
3.根据权利要求2所述的光学传感器,其特征在于,所述绝缘材料包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化铪、氟化镁、有机绝缘聚合物中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的光学传感器,其特征在于,所述透明导电氧化物的厚度小于200纳米。
5.根据权利要求1所述的光学传感器,其特征在于,所述纳米结构层的材料包括金、铂、银、铜、铝、钛、镍、铬、氮化钛、氮化锆和石墨烯中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的光学传感器,其特征在于,所述纳米结构层的厚度小于200纳米。
7.根据权利要求5所述的光学传感器,其特征在于,所述纳米结构层为一维周期结构或者二维周期结构。
8.根据权利要求5所述的光学传感器,其特征在于,所述纳米结构层的周期为所述光学传感器工作波长范围中心波长的0.2倍~ 2倍。
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