[发明专利]一种宽带类噪声激光器及宽带类噪声脉冲的产生方法有效

专利信息
申请号: 201910495475.5 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN110212399B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 李雷;赵鹭明;王萱;姚雄权;王帅 申请(专利权)人: 江苏师范大学
主分类号: H01S3/067 分类号: H01S3/067;H01S3/16;H01S3/30
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 许方
地址: 221116 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽带 噪声 激光器 脉冲 产生 方法
【说明书】:

发明公开了一种宽带类噪声激光器及宽带类噪声脉冲的产生方法,所述宽带类噪声激光器包括波分复用器(1)、色散位移光纤(21)、超高数值孔径光纤(31)、高非线性光纤(4)、超高数值孔径光纤(32)、色散位移光纤(22)、光纤耦合器(5)、偏振控制器(61)、色散位移光纤(23)、光隔离器(7)、光纤偏振器(10)、偏振控制器(62)以及掺铒光纤(8),通过标准单模光纤(14)连接成光纤环形腔;光纤耦合器(5)的输出端通过单模光纤(14)依次连接偏振控制器(63)以及偏振光束分束器(9)。本发明可将类噪声脉冲的光谱半高宽拓展至200nm。在激光器腔外的偏振调控系统,可使光谱半高宽拓展至298nm。

技术领域

本发明属于光学工程、超快非线性光纤光学动力学研究、光纤激光器研究领域,尤其涉及一种宽带类噪声激光器及宽带类噪声脉冲的产生方法。

背景技术

类噪声脉冲是被动锁模光纤激光器中一种特殊的脉冲状态,属于“怪波”的一种。一般情况下,类噪声脉冲有一个宽而平滑的波包,波包内部聚集着脉冲宽度和脉冲峰值功率随机变化超短脉冲,它的时域相干性较弱[1-5]。“类噪声”脉冲可被用于光纤光栅解调技术、光纤信息存储及再现技术等低相干光谱干涉技术应用上[6-8]。此外,光纤激光器在激光加工应用方面主要运用纳秒级别脉宽的脉冲,随着经济的发展,在脉冲度和峰值功率上逐渐产生了新的需求,由于类噪声脉冲里包含从纳秒至飞秒级别的不同宽度小脉冲,具有较为广阔的应用前景。

常见类噪声脉冲光纤激光器,有环形腔和8字型腔。常见的环形腔采用非线性偏振旋转技术,使用的基本光学器件有波分复用器、光纤偏振器、光隔离器、光纤耦合器、偏振控制器等。8字型光纤激光腔和环形光纤激光腔相比,锁模机理不同,光纤激光器腔内脉冲在连接两环的光纤耦合器处,相干的成分被多次循环放大,非相干成分逐渐被损耗和抑制。在8字型光纤激光腔里,使用的基本光学器件有:波分复用器、光纤耦合器、偏振控制器等。目前,对类噪声的产生机理,还没有统一的解释。在净正色散光纤激光器中,接受度比较高的解释是峰值功率钳制效应,即在光纤激光器中形成锁模状态后,继续增加泵浦功率,脉冲耗散波和孤子的成分走离,陡峭的光谱两端逐渐出现噪声背景,并且噪声背景逐渐增大,由于光谱仪采集的数据是一段时间的平均值,故最终形成光滑的类噪声光谱,通常情况下,光谱宽度超过增益带宽。但是在净负色散光纤激光器中,类噪声被认为是锁模状态塌陷引起的,即在锁模状态中,当泵浦功率增加时,锁模状态崩塌,孤子转化类噪声脉冲。

上述常见的产生类噪声脉冲的光纤激光器存在着原理性的制约。理论上,掺铒光纤的自发辐射峰在1550nm附近,当腔内形成的脉冲峰值功率达到一定的阈值时,产生拉曼散射效应,但是在不同波长处,拉曼散射的激发系数不同。正常情况下,在激发光波长后13THz附近,拉曼光最易被激发,即波长1662m附近。因此,若不能激发出其拉曼光谱,则形成的类噪声宽度范围,长波段的端点不超过1661nm,和中心波长相距约110nm。由于1550nm波长的光,很难转化成短波段成分,用传统的方法,很难在向短波段激发110nm光谱宽度。因此,现实中在传统的光纤激光器里,很难实现类噪声脉冲的光谱宽度超过200nm。此外,传统方法没有注意到,由于双折射的存在,类噪声脉冲包络里大量的随机脉冲,经过相同的一段光纤后,偏转角度不完全相同,类噪声脉冲由偏振光变成了椭圆偏振光。通过对脉冲不同偏振态的选择,滤除部分波长的短脉冲,光谱最终展宽。

[1]M.Horowitz,Y.Barad,and Y.Silberberg,et al.,Noiselike pulses with abroadband spectrum generated from an erbium-doped fiber laser[J].OpticsLetters,1997,22:p.799–801.

[2]Y.Takushima,K.Yasunaka,Y.Ozeki,et al.,87nm bandwidth noise-likepulse generation from erbium-doped fibre laser[J].Electronics Letters,2005,41:p.399-400.

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