[发明专利]一种具有高功率的VCSEL芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201910495765.X | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110165552B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 田宇;韩效亚;吴真龙;杜石磊 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 功率 vcsel 芯片 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有高功率的VCSEL芯片，其特征在于，包括沿生长方向依次生长的衬底、N型DBR层、有源层和P型DBR层，所述有源层包括沿生长方向依次生长的第一InGaAs阱层、第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二InGaAs阱层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第三InGaAs阱层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，其中，0≤x1，0≤y1，0z≤1，x+y+z＝1，0m≤1，0≤n1，m+n＝1，所述第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的Al组分依次增加，所述第一(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层、第二(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层和第三(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层中的In组分依次减少。
2.根据权利要求1所述的具有高功率的VCSEL芯片，其特征在于，对于各(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，其厚度为5-20nm。
3.根据权利要求1所述的具有高功率的VCSEL芯片，其特征在于，对于各(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，其中，0x0.05、0y0.3、0.7z1、0m0.9且0n0.3。
4.根据权利要求1所述的具有高功率的VCSEL芯片，其特征在于，对于各(InxAlyGaz)0.5(AsmPn)0.5垒层，其中，x＝0，或者y＝0，或者x＝0且y＝0，或者x＝0且n＝0。
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