[发明专利]一种同位素生产设备

权利要求书

1.一种同位素生产设备，其特征在于：它包括直线加速器和与之相对应的靶系统；

所述直线加速器包括常温前端加速器、设在所述常温前端加速器后的相互串联的若干相同的加速单元或若干加速模块和从末端的所述加速单元输出端引出的末端引出束线；所述加速模块包括相互串联的多个加速单元耦合形成；

所述末端引出束线用于输出供所述靶系统使用的质子束流，所述靶系统用于同位素的产生；

一个所述加速单元包括一个具有高加速梯度的加速腔体以及相应的耦合器和调谐器；所述耦合器功率耦合进入所述加速腔体中，所述调谐器用于所述加速腔体频率的调节；

所述加速腔体采用低温超导材料；

所述常温前端加速器包括依次设置的离子源、低能传输段、高频四极场加速器以及中能传输段；

所述末端引出束线和所述引出束线上均设置分束装置将束流引出；

所述分束装置为如下任一种：1）由切割磁铁和kicker磁铁组成；2）由切割磁铁和kicker腔体组成；

所述常温前端加速器和每个所述加速单元均设置各自独立的射频功率源、馈送系统和低电平控制系统；

所述射频功率源为所述常温前端加速器和所述加速单元提供射频功率；所述馈送系统用于从所述射频功率源将射频功率馈送到所述常温前端加速器和所述加速单元中；所述低电平控制系统用于调节射频功率大小和相位。

2.根据权利要求1所述的同位素生产设备，其特征在于：所述常温前端加速器和每个所述加速单元设有同一个信号参考线，用于为所述加速单元提供一个相同的相位参考点。

3.根据权利要求1或2所述的同位素生产设备，其特征在于：所述射频功率源采用固态放大器；

所述低电平控制系统采用数字低电平；

每个加速腔体能够提供0~2MeV的加速能力。

4.根据权利要求1或2所述的同位素生产设备，其特征在于：每个所述加速模块的输出端设有相应的引出束线，所述引出束线用于输出供与之配套运行的所述靶系统使用的质子束流。

5.根据权利要求1所述的同位素生产设备，其特征在于：所述末端引出束线和所述引出束线均通过所述分束装置引出三条次级引出束线。