[发明专利]薄膜晶体管及电路有效

专利信息
申请号: 201910496628.8 申请日: 2019-06-10
公开(公告)号: CN110289309B 公开(公告)日: 2021-04-27
发明(设计)人: 夏慧 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/786;H01L27/12
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 电路
【权利要求书】:

1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括栅极和源漏极层,所述栅极与所述源漏极层绝缘设置,所述栅极位于所述源漏极层的上方或下方;所述源漏极层包括漏极和源极,所述漏极和所述源极相对设置;

所述栅极包括至少一个栅极单元,所述栅极单元包括至少两条条形栅极分支,相邻的两个所述条形栅极分支之间具有第一间隙,所述第一间隙将相邻的所述条形栅极分支隔开;

所述至少两条条形栅极分支之间相互电性连接;

所述栅极包括金属线,所述金属线位于所述栅极单元的一侧,所述栅极单元靠近所述金属线的一侧电性连接于所述金属线;每个所述栅极单元包括至少两个连接部,每个所述连接部与所述条形栅极分支一一对应且电性连接;

在某一所述栅极单元中,所述至少两个连接部与所述金属线相连,所述连接部的宽度小于所述栅极分支的宽度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,相邻的所述栅极单元之间具有第二间隙,所述第二间隙将相邻的所述栅极单元隔开;

所述第二间隙的宽度大于所述第一间隙的宽度。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述第一间隙的宽度大于3微米。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极单元沿着第一方向排列设置;所述条形栅极分支沿着所述第一方向排列设置;

所述源极包括至少一个源极单元,所述源极单元沿着所述第一方向排列设置;每个所述源极单元包括多个U形源极分支,所述U形源极分支沿第二方向排列设置;

所述漏极包括至少一个漏极单元,所述漏极单元沿着所述第一方向且与所述源极单元相对设置,所述漏极单元包括多个条形漏极分支,所述条形漏极分支沿所述第二方向间隔排列设置;

所述条形漏极分支设置在所述U形源极分支的开口内,并与所述U形源极分支间隔设置;

所述第一方向垂直于所述第二方向。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极包括两个所述栅极单元,每个所述栅极单元包括两个所述条形栅极分支;

所述源极包括两个所述源极单元,所述漏极包括两个所述漏极单元,所述两个漏极单元位于所述两个源极单元之间;

每个所述栅极单元的上方对应设置有相邻的所述源极单元和所述漏极单元。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管,其特征在于,所述栅极包括第一栅极单元、第二栅极单元和第三栅极单元,所述第一栅极单元包括两个所述条形栅极分支,所述第二栅极单元包括四条所述条形栅极分支,所述第三栅极单元包括两条条形栅极分支;

所述源极包括第一源极单元、第二源极单元、第三源极单元和第四源极单元,所述第一源极单元和所述第二源极单元相对设置,所述第二源极单元和所述第三源极单元背向设置,所述第三源极单元和所述第四源极单元相对设置;

所述漏极包括第一漏极单元、第二漏极单元、第三漏极单元和第四漏极单元,所述第一漏极单元和所述第二漏极单元背向设置,且二者设置在所述第一源极单元和所述第二源极单元之间;所述第三漏极单元和所述第四漏极单元背向设置,且二者设置在所述第三源极单元和所述第四源极单元之间;

所述第一栅极单元的上方设置有所述第一源极单元和所述第一漏极单元,所述第二栅极单元的上方设置有所述第二源极单元、第二漏极单元、第三源极单元和第三漏极单元,所述第三栅极单元的上方设置有所述第四源极单元和所述第四漏极单元。

7.一种电路,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管。

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