[发明专利]在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法和电路

权利要求书

1.一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法，其特征在于，步骤包括：

获取伪差分跨阻放大电路输出的两路极性相反的交流电压信号；

通过所述输出的两路极性相反的交流电压信号得到电流过载信号值；

将所述电流过载信号值与预设的参考电压值作比较，当所述电流过载信号值大于预设的参考电压值时，将所述伪差分跨阻放大电路的一个输入端的部分电流分流到另一个输入端；

所述电流过载信号值为峰值差分参数，所述峰值差分参数获取方式为：得到伪差分跨阻放大电路输出的正极电压信号的正极峰值和负极电压信号的负极峰值；将所述正极峰值和负极峰值相减，得到峰值差分参数；

所述峰值差分参数与预设的参考电压值作比较，当所述峰值差分参数大于所述预设的参考电压值时，输出第一控制电压到MOSFET晶体管的栅极，开启MOSFET晶体管，若所述峰值差分参数小于所述参考电压值，输出第二控制电压到MOSFET晶体管的栅极，关闭MOSFET晶体管；

所述峰值差分参数与预设的参考电压值作比较采用差分峰值检测器和比较器实现，

所述差分峰值检测器输入所述伪差分跨阻放大电路的输出正极电压信号和输出负极电压信号，输出所述正极峰值和负极峰值的差值，得到峰值差分参数，所述峰值差分参数与预先设定的参考电压值通过比较器进行比较，若所述峰值差分参数大于等于参考电压值，输出第一控制电压到MOSFET晶体管的栅极，开启MOSFET晶体管，若所述峰值差分参数小于所述参考电压值，输出第二控制电压到MOSFET晶体管的栅极，关闭MOSFET晶体管。

2.如权利要求1所述的在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法，其特征在于，控制跨接在所述伪差分跨阻放大电路两个输入端之间的MOSFET晶体管的导通，当所述MOSFET晶体管导通时，所述MOSFET晶体管实现了所述伪差分跨阻放大电路的一个输入端的电流至少部分分流到另一个输入端。

3.一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正电路，包括并联的第一差分支路和第二差分支路，第一差分支路包括第一光电检测器、第一放大器、第一反馈电阻R_F1，所述第一光电检测器与第一放大器串联，所述第一反馈电阻R_F1跨接于第一放大器的输入端和输出端，所述第二差分支路包括第二光电检测器、第二放大器、第二反馈电阻R_F2，所述第二光电检测器与第二放大器串联，所述第二反馈电阻R_F2跨接于第二放大器的输入端和输出端，其特征在于，还包括MOSFET晶体管、电容、比较器和差分峰值检测器，

所述差分峰值检测器的两个输入端分别与第一差分支路、第二差分支路的输出端连接，所述差分峰值检测器的输出端与比较器的一个输入端连接；

所述比较器的一个输入端与所述差分峰值检测器的输出端连接，另一个输入端输入参考电压，所述比较器将所述差分峰值检测器输出的电压参数值与所述参考电压进行比较，输出控制信号到所述MOSFET晶体管的栅极；

所述MOSFET晶体管的栅极与比较器的输出连接，漏极与第一差分支路中第一放大器的输入端连接，源极与第二差分支路中第二放大器的输入端连接；

所述电容一端与所述MOSFET晶体管的栅极连接，另一端接地。

4.如权利要求3所述的一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正电路，其特征在于，所述第一放大器或第二放大器跨阻增益的计算公式为：

其中，R_T是跨阻增益，A₀是放大器1或放大器2的开环增益，R_F是反馈电阻，r_ON是MOSFET晶体管的导通电阻。

5.光接收组件、光接收机或光通信系统中包含了采用如权利要求1-2任一所述的一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正方法的电路。

6.光接收组件、光接收机或光通信系统中包含了如权利要求3-4任一所述的一种在光接收机中使用的TIA的过载电流校正电路。