[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

一种用于处理基板的装置，其包括工艺腔室、在所述工艺腔室中支承所述基板的支承单元、供应工艺气体的气体供应单元和从所述工艺气体生成等离子体的等离子体源。所述支承单元包括静电吸盘，且所述装置还包括将夹持电压供应至所述静电吸盘的电源，和管理单元，该管理单元反馈控制针对每个工艺施加至电源的电压，并控制所述基板和所述静电吸盘之间供应的传热气体流量。所述管理单元该包括监测所述基板的物理性能变化的第一监测单元。所述管理单元该包括第一控制器，其通过基于监测的性能变化反馈对应于预设参考值的夹持力值来执行控制以补偿所述夹持电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年06月07日提交韩国工业产权局、申请号为 10-2018-0065593的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文中描述的本发明构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和方法。

背景技术

容性耦合等离子体(capacitively couple plasma,CCP)处理方法和电感耦合等离子体(inductively coupled plasma,ICP)处理方法用于利用等离子体处理半导体晶圆和显示基板的表面。使用等离子体的基板处理装置包括用于在处理期间夹持基板的静电吸盘。在相关技术中，当静电吸盘夹持基板时，无论每个工艺的条件如何，施加至基板上的电源的电压值是一样的。然而，在静电吸盘长时间使用的情况下，改变了静电吸盘的物理性能和基板层值的物理性能。由于性能改变，对于基板的夹持力存在差异，因此，也改变了蚀刻速率。

发明内容

本发明构思的实施方式提供了一种用于有效地反馈控制施加至静电吸盘的夹持电压的基板处理装置和方法。

此外，本发明构思的实施方式提供了一种用于根据腔室中装置的性能变化有效地控制气体流量的基板处理装置和方法。

本发明构思所要解决的技术问题不限于上述的问题。本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中没有提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方式，用于处理基板的装置包括在内部具有处理空间的工艺腔室，在所述工艺腔室中支承所述基板的支承单元，将工艺气体供应至所述处理空间的气体供应单元和从所述工艺气体生成等离子体的等离子体源。

所述支承单元包括使用静电力夹持所述基板的静电吸盘，且所述装置还包括：将夹持电压供应至所述静电吸盘的电源，和管理单元，该管理单元反馈控制针对每个工艺施加至电源的电压，并控制所述基板和所述静电吸盘之间供应的传热气体流量。

所述管理单元可该包括监测所述基板的物理性能变化的第一监测单元。

所述物理性能可为膜品质信息。

所述管理单元该包括监测所述静电吸盘的物理性能变化的第二监测单元。

所述物理性能可为介电常数。

所述第一监测单元和所述第二监测单元可根据监测的物理性能变化一同监测夹持力值的变化。

所述管理单元还可包括第一控制器，其通过基于监测的性能变化反馈对应于预设参考值的夹持力值来执行控制以补偿所述夹持电压。

所述管理单元还可包括第三监测单元，其监测放置在所述静电吸盘上的所述基板与所述静电吸盘之间供应的传热气体泄漏流量的变化，其中，所述传热气体泄漏流量的变化根据所述基板和所述静电吸盘的物理性能的变化而发生。

所述管理单元还可包括第二控制器，其基于通过所述第三监测单元监测的所述传热气体泄漏流量的变化来控制气体流量以对应于反馈的所述夹持电压。

在执行所述装置的工艺时，所述管理单元反馈可通过监测每个工艺步骤的物理性能变化来控制电压和气体流量。