[发明专利]一种非接触式纱线振动频率检测电路

权利要求书

1.一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：包括信号采集电路、交流同相放大电路、高通滤波电路、信号调理电路、第九电阻R9、第十电阻R10、数字信号输出端，所述信号采集电路、交流同相放大电路、高通滤波电路、信号调理电路依次连接，所述第九电阻R9一端连接信号调理电路，所述第九电阻R9另一端分别连接第十电阻R10一端和数字信号输出端，所述第十电阻R10另一端接地；

所述信号采集电路包括红外发光二极管D2、光敏晶体三极管Q2、NPN型三极管Q1、齐纳二极管D1、第一电容C1、第一电阻R1、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电源VCC1、第二电源VCC2，所述红外发光二极管D2的正极与第一电阻R1一端连接，第一电阻R1另一端与第一电源VCC1连接，所述NPN型三极管Q1的集电极与红外发光二极管D2的负极连接，所述NPN型三极管Q1的发射极与齐纳二极管D1的负极连接，齐纳二极管D1的正极接地，所述NPN型三极管Q1的基极分别连接第一电容C1一端和第四电阻R4一端，其中第一电容C1另一端接地，所述第四电阻R4另一端分别与第三电阻R3一端、光敏晶体三极管Q2的集电极和交流同相放大电路连接，所述第三电阻R3另一端与第二电源VCC2连接；

所述交流同相放大电路包括第一运算放大器U1A、第五电阻R5、第二电阻R2、第二电容C2、第三电源VCC3，所述第一运算放大器U1A的同相输入端分别与光敏晶体三极管Q2的集电极、第四电阻R4另一端和第三电阻R3一端连接，所述第一运算放大器U1A的反向输入端依次连接第二电阻R2和第二电容C2一端，所述第二电容C2另一端接地，所述第一运算放大器U1A的反向输入端连接第五电阻R5一端，所述第一运算放大器U1A的输出端分别连接第五电阻R5另一端和高通滤波电路，所述第一运算放大器U1A的正供电端连接第三电源VCC3，所述第一运算放大器U1A的负供电端接地；

所述高通滤波电路包括第三电容C3和第六电阻R6，所述第三电容C3一端连接交流同相放大电路，所述第三电容C3另一端连接第六电阻R6一端，所述第六电阻R6另一端连接信号调理电路。

2.根据权利要求1所述的一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：所述信号调理电路包括第二运算放大器U1B、第七电阻R7、第八电阻R8、第十一电阻R11、第四电源VCC4，所述第七电阻R7、第十一电阻R11和第八电阻R8依次连接，所述第七电阻R7一端分别连接第六电阻R6和第十一电阻R11，其中第七电阻R7另一端接地，所述第八电阻R8一端分别连接第十一电阻R11和第二运算放大器U1B的同相输入端，所述第八电阻R8的另一端连接第四电源VCC4，其中第二运算放大器U1B的反向输入端连接在第三电容C3和第六电阻R6之间，第二运算放大器U1B的正供电端连接第五电源VCC5，第二运算放大器U1B的负供电端接地。

3.根据权利要求1所述的一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：所述红外发光二极管D2的型号为SIR5061、光敏晶体管Q2的型号为PT524A、齐纳二极管D1的型号为MMBZ5228BLT1G。

4.根据权利要求2所述的一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：所述第一运算放大器U1A和第二运算放大器U1B的型号均为LM358。

5.根据权利要求2所述的一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：所述第一电源VCC1、第二电源VCC2、第三电源VCC3、第四电源VCC4、第五电源VCC5的电压均为12V。

6.根据权利要求2所述的一种非接触式纱线振动频率检测电路，其特征在于：所述第五电阻R5为负反馈电阻、第十一电阻R11为阻值可调节电阻，第一电容C1为钽电容，第二电容C2和第三电容C3均为陶瓷电容。