[发明专利]一种高浓度MoS2纳米片的制备方法

权利要求书

1.一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤S1：将一定量的二硫化钼多晶粉末或二硫化钼单晶块体加入到密闭的蓝盖超声瓶中，随后向蓝盖超声瓶中加入一定量的极性溶剂，形成溶液体系；

步骤S2：对蓝盖超声瓶中的溶液体系进行惰性气体鼓泡处理；

步骤S3：将蓝盖超声瓶放置到超声波清洗机中进行超声处理，超声处理时在超声波清洗机加入冰块造成低温环境，起到冰浴降温的效果，得到墨绿色MoS2纳米片分散液；

步骤S4：墨绿色MoS₂纳米片分散液进行分离，得到干净的MoS₂纳米片；

其中，所述步骤S3中超声处理后的沉降率S_b与超声处理的时间t、超声处理的功率P之间满足以下关系：

其中，ρ_f为极性溶剂的密度，T为超声处理时清洗机中液体的温度，此处T＝0℃，t为超声时间，σ为极性溶剂。

2.根据权利要求1所述的一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述二硫化钼多晶粉末或二硫化钼单晶块体与所述极性溶剂的按照份数比为1：(70-120)；其中，所述极性溶液剂为：乙醇和水的混合溶剂、甲基吡咯烷酮、N-N二甲基甲酰胺、异丙醇或二甲基亚砜中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述二硫化钼多晶粉末的粒径为10-30μm，纯度大于99.95％。

4.根据权利要求1所述的一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述二硫化钼单晶块体的粒径为0.1-10㎜，纯度大于99.95％。

5.根据权利要求1所述的一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的惰性气体是氮气或者氩气。

6.根据权利要求1所述的一种高浓度MoS₂纳米片的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中的分离具体包括以下步骤：

步骤S401：将MoS2纳米片分散液转移至离心管中，并置于离心机内，以2000rpm/min的转速正向离心30min，取出离心管中的五分之四的上清液，对其进行多次重复上述离心过程，得MoS₂分散液；

步骤S402：将步骤S401中得到的MoS₂分散液进行5000rpm/min高速反向离心10min，得到MoS₂纳米片；

步骤S403：将步骤S402中得到的MoS₂纳米片分散在异丙醇中，并重复多次最后得到干净的MoS₂纳米片。