[发明专利]改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法

说明书

本发明提供了一种改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法，涉及光刻工艺技术领域，本发明提供的改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法包括对基底进行烘烤；将烘烤后的基底进行匀胶处理；对匀胶后的基底进行曝光处理；对曝光后的基底进行曝光后烘；对曝光后烘的基底进行静置冷却；对基底进行显影。本发明提供的改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法无需使用基底表面增粘剂，通过匀胶前对基底的烘烤，以及曝光后的烘烤以及烘烤后的静置冷却，能够有效的提高了基底与光刻胶之间的粘附度，满足工艺要求，无需额外增加设备模组。

技术领域

本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其是涉及一种改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法。

背景技术

在半导体工艺以及微纳加工领域，光刻工艺是不可或缺的加工环节。传统的光刻工艺包含涂胶、曝光、显影三个主要加工步骤。首先将光刻胶均匀地涂布在基底表面，再通过曝光机曝光掩膜图形，最后通过显影，实现将掩膜图形从掩膜板到基底上的转移。

在光刻工艺中，通常在匀胶前会进行基底增粘处理，以增加光刻胶与基底的粘合度，从而避免光刻加工过程中的图形变形或者剥落。一般半导体加工过程中，通常使用六甲基二硅胺烷进行基底表面的增粘处理。一般采用气相成底膜的热板涂底进行基底表面改善，但此需要对涂胶机进行改造增加模块，并且增加热板占用。而使用旋转涂底的方法进行处理时，又因加工过程易造成基底表面颗粒污染、涂底不均匀，对于六甲基二硅胺烷的用量较大等诸多缺点而不被加工商所接受。

因此，如何提供一种避免六甲基二硅胺烷等增粘剂使用的改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法是本领域技术人员需解决的技术问题之一。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法，无需使用基底表面增粘剂，基底与光刻胶之间具有良好的粘附度，无需额外增加设备模组。

为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供一种改善光刻胶与基底粘附度的光刻方法，包括：

对基底进行烘烤；

将烘烤后的基底进行匀胶处理；

对匀胶后的基底进行曝光处理；

对曝光后的基底进行曝光后烘；

对曝光后烘的基底进行静置冷却；

对基底进行显影。

进一步地，所述对基底进行烘烤，包括：

设置烘烤温度为160－180℃，烘烤时间为50－80s。

进一步地，所述对基底进行烘烤，包括：

使用发热板贴附所述基底进行烘烤。

进一步地，在所述对基底进行烘烤后，且在所述将烘烤后的基底进行匀胶处理前，还包括：

将所述基底冷却至20－24℃。

进一步地，所述将烘烤后的基底进行匀胶处理，包括：

对所述基底进行烘烤后60s内，对所述基底进行匀胶处理。

进一步地，所述对匀胶后的基底进行曝光处理前，还包括：

使用90－110℃的温度对所述基底进行曝光前烘烤处理，烘烤时间为57－63s。

进一步地，所述对曝光后的基底进行曝光后烘，包括：

使用90－110℃的温度对所述基底进行曝光后烘烤处理，烘烤时间为60－180s。

进一步地，所述对曝光后烘的基底进行静置冷却，包括：

冷却时间为10－30min。