[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

设置在真空容器内的用于载置作为处理对象的基片的载置台，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；

在设置于所述载置台的电介质层内形成的第一静电吸附电极，所述第一静电吸附电极为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；

在设置于所述载置台的电介质层内与所述第一静电吸附电极隔开间隔地形成的第二静电吸附电极，所述第二静电吸附电极形为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；

第一直流电源和第二直流电源，其对所述第一静电吸附电极和所述第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压；

测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的电压测量部；和

剥离检测部，当由所述电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，其检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

当将所述电压测量部作为第一电压测量部时，包括测量施加到所述第二静电吸附电极的直流电压的第二电压测量部；

所述剥离检测部还在由所述第二电压测量部测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用所述第二静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离。

3.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述第一静电吸附电极沿所述基片的周缘部的周向被分割为多个分割电极，

当将所述多个分割电极分为多个组时，包括分别与该多个组对应地设置的多个所述第一直流电源，其对所对应的组所包含的分割电极施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压，电压测量部按所述组测量施加到该组所包含的分割电极的直流电压，

所述剥离检测部在由所述电压测量部按所述组测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用该组所包含的分割电极来静电吸附着的基片发生了剥离的情况。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

高频电力供给部，其对用于在所述真空容器内生成处理气体的等离子体的等离子体形成部供给高频电力；和

供电控制部，在由所述剥离检测部检测出使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离时，输出用于停止从所述高频电力供给部供给高频电力的控制信号。

5.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述基片为矩形基片，所述第一静电吸附电极与沿所述矩形基片的边部的环状的平面形状相应地设置，

所述第一静电吸附电极的面积形成为4.2m²以下。

6.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

将作为处理对象的基片载置在设置于真空容器内的载置台的步骤，其中所述真空容器用于对基片进行使用处理气体的基片处理；

对第一静电吸附电极和第二静电吸附电极分别施加与预先设定的电压设定值对应的直流电压来静电吸附载置于所述载置台的基片的步骤，其中所述第一静电吸附电极形成在设置于所述载置台的电介质层内，为了静电吸附载置于所述载置台的基片的周缘部而与所述周缘部的平面形状相应地设置；所述第二静电吸附电极形成在设置于所述载置台的电介质层内，为了静电吸附载置于所述载置台的基片的中央部而与所述中央部的形状相应地设置；

测量施加到所述第一静电吸附电极的直流电压的步骤；和

当测量出的直流电压超过了预先设定的阈值时，检测为使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离的步骤。

7.如权利要求6所述的基片处理方法，其特征在于，包括：

对用于在所述真空容器内生成处理气体的等离子体的等离子体形成部供给高频电力的步骤；和

当检测出使用所述第一静电吸附电极来静电吸附着的基片发生了剥离时，停止对等离子体形成部供给高频电力的步骤。

8.如权利要求6或7所述的基片处理方法，其特征在于，

所述基片为矩形基片，所述第一静电吸附电极与沿所述矩形基片的边部的环状的平面形状相应地设置，

所述第一静电吸附电极的面积形成为4.2m²以下。