[发明专利]一种隔离电路在审
申请号: | 201910500421.3 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110098831A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 徐群 | 申请(专利权)人: | 深圳市红芯微科技开发有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175 |
代理公司: | 上海互顺专利代理事务所(普通合伙) 31332 | 代理人: | 韦志刚 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区龙城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离电容 放大器 采样电阻 隔离电路 第二管 锁存器 输入端连接 接地端 管芯 一端接收 接地 高隔离 输出端 共地 | ||
本发明涉及一种隔离电路,该隔离电路包括隔离电容模块、第一采样电阻、第一放大器、锁存器,所述第一采样电阻、第一放大器、锁存器位于第二管芯,所述隔离电容模块一端接收输入信号,所述隔离电容模块的另一端与第一采样电阻的一端、第一放大器的输入端连接,所述第一放大器的输出端与锁存器的输入端连接,所述第一采样电阻的另一端接地,所述隔离电容模块包括一个或多个隔离电容,所述隔离电容模块位于第一管芯和/或第二管芯,所述第一管芯的接地端与第二管芯的接地端不共地。通过本发明的隔离电路可以实现高隔离电压,整个技术方案采用CMOS工艺。
技术领域
本发明涉及一种隔离电路。
背景技术
在恶劣的应用环境中,应用要求能够抵御高压瞬变,防止数据受扰,并且消除高压电压力对隔离器隔离寿命的影响。此类应用的典型隔离解决方案是光耦合器,其内部绝缘层很厚,可以承受高压,但缺点是要使用发光二极管(LED),其光强度会随着时间推移和温度变化而降低,这就会带来设计和可靠性问题。电容隔离因为质量稳定,寿命长,应用越来越广泛,有替代光隔离的趋势,目前,采用载波技术的隔离方案需要发射和接收高频载波,因此功耗高,电路复杂,成本相比光耦隔离没有竞争优势。
发明内容
本发明的目的是为解决现有技术的不足,提供了一种隔离电路,所述隔离电路包括隔离电容模块、第一采样电阻、第一放大器、锁存器,所述第一采样电阻、第一放大器、锁存器位于第二管芯,所述隔离电容模块一端接收输入信号,所述隔离电容模块的另一端与第一采样电阻的一端、第一放大器的输入端连接,所述第一放大器的输出端与锁存器的输入端连接,所述第一采样电阻的另一端接地,所述隔离电容模块包括一个或多个隔离电容,所述隔离电容模块位于第一管芯和/或第二管芯,所述第一管芯的接地端与第二管芯的接地端不共地。
所述隔离电容一端位于第一管芯,另一端位于第二管芯。
所述隔离电路还包括第二采样电阻,所述第二采样电阻位于第二管芯,所述隔离电容模块由第一隔离电容、第二隔离电容组成,所述第一隔离电容、第二隔离电容均位于第一管芯或第二管芯,所述第一采样电阻一端与第一隔离电容、第一放大器的输入端连接,所述第二采样电阻一端与第二隔离电容、第一放大器的另一个输入端连接,所述第二采样电阻的另一端接地。
所述隔离电路还包括第二采样电阻,所述第二采样电阻位于第二管芯,所述隔离电容模块由第一隔离电容、第二隔离电容组成,所述第一隔离电容、第二隔离电容一端位于第一管芯,所述第一隔离电容、第二隔离电容另一端位于第二管芯,所述第一采样电阻一端与第一隔离电容、第一放大器的输入端连接,所述第二采样电阻一端与第二隔离电容、第一放大器的另一个输入端连接,所述第二采样电阻的另一端接地。
所述隔离电路还包括第二采样电阻,所述第二采样电阻位于第二管芯,所述隔离电容模块由第一隔离电容、第二隔离电容、第三隔离电容、第四隔离电容组成,所述第一隔离电容、第二隔离电容位于第一管芯,所述第三隔离电容、第四隔离电容位于第二管芯,所述第一隔离电容与第三隔离电容串联连接,所述第二隔离电容与第四隔离电容串联连接,所述第一采样电阻一端与第三隔离电容、第一放大器的输入端连接,所述第二采样电阻一端与第四隔离电容、第一放大器的另一个输入端连接,所述第二采样电阻的另一端接地。
所述隔离电路还包括第二采样电阻、第二放大器,所述第二采样电阻、第二放大器位于第二管芯,所述隔离电容模块由第一隔离电容、第二隔离电容组成,所述第一隔离电容、第二隔离电容均位于第一管芯或第二管芯,所述第一采样电阻一端与第一隔离电容、第一放大器的输入端连接,所述第二采样电阻一端与第二隔离电容、第二放大器的输入端连接,所述第二采样电阻的另一端接地,所述第二放大器的输出端与锁存器的另一个输入端连接。
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