[发明专利]晶圆抛光的抛光压力控制方法、装置和设备

权利要求书

1.一种用于晶圆抛光设备(1)的抛光压力控制方法(100)，所述晶圆抛光设备包括多区加压方式的抛光头以对晶圆的表面进行抛光，其中，所述抛光头将所述晶圆的受压表面划分为多个受压区域并能够独立地对各个受压区域的抛光压力进行控制，其特征在于，所述抛光压力控制方法包括：

测量所述多个受压区域中每个受压区域的翘曲度(110)，其中，所述翘曲度指示该受压区域内晶圆表面的扭曲程度；

根据所述每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头对所述每个受压区域的抛光压力，并以调整后的抛光压力对所述晶圆进行抛光处理(120)，

其中，所述多个受压区域被划分为同心圆状，并且其中，从圆心向外，每个受压区域的半径变化范围随着该受压区域的平均翘曲度与向外相邻的受压区域的平均翘曲度之间的差异的增加而增加，并且随着该受压区域的平均翘曲度与向外相邻的受压区域的平均翘曲度之间的差异的减小而减小。

2.如权利要求1所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：

控制所述抛光压力，使得对于翘曲度为正值越大的受压区域，降低该受压区域的抛光压力；并且对于翘曲度为负值越大的受压区域，增加该受压区域的抛光压力。

3.如权利要求1或2所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：

根据测量得到的所述多个受压区域的翘曲度以及针对所述晶圆的抛光压力换算式来计算各个受压区域的抛光压力。

4.如权利要求3所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：

基于测量得到的每个受压区域的翘曲度来确定所述每个受压区域的翘曲常数，并且将所述每个受压区域的所述翘曲常数作为权重值代入所述抛光压力换算式以计算所述每个受压区域的抛光压力。

5.如权利要求4所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：

根据属于同一个受压区域的多个采样点处的翘曲度的平均值来计算该受压区域的翘曲常数。

6.如权利要求1或2所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，还包括：

根据每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头的抛光时间。

7.如权利要求6所述的抛光压力控制方法(100)，其特征在于，

基于经调整的抛光压力来调整所述抛光时间。

8.一种用于晶圆抛光设备(1)的抛光压力控制装置(200)，所述晶圆抛光设备包括多区加压方式的抛光头以对晶圆的表面进行抛光，其中，所述抛光头将所述晶圆的受压表面划分为多个受压区域并能够独立地对各个受压区域的抛光压力进行控制，其特征在于，所述抛光压力控制装置(200)包括：

测量单元(210)，其被配置用于测量所述多个受压区域中每个受压区域的翘曲度，其中，所述翘曲度指示该受压区域内晶圆表面的扭曲程度；以及

抛光单元(220)，其被配置用于根据所述每个受压区域的翘曲度来调整所述抛光头对所述每个受压区域的抛光压力，并以调整后的抛光压力对所述晶圆进行抛光处理，

其中，所述多个受压区域被划分为同心圆状，并且其中，从圆心向外，每个受压区域的半径变化范围随着该受压区域的平均翘曲度与向外相邻的受压区域的平均翘曲度之间的差异的增加而增加，并且随着该受压区域的平均翘曲度与向外相邻的受压区域的平均翘曲度之间的差异的减小而减小。

9.如权利要求8所述的抛光压力控制装置(200)，其特征在于，

所述抛光单元还被配置用于控制所述抛光压力，使得对于翘曲度为正值越大的受压区域，降低该受压区域的抛光压力；并且对于翘曲度为负值越大的受压区域，增加该受压区域的抛光压力。

10.如权利要求8或9所述的抛光压力控制装置(200)，其特征在于，

所述抛光单元还被配置用于根据测量得到的所述多个受压区域的翘曲度以及针对所述晶圆的抛光压力换算式来计算各个受压区域的抛光压力。