[发明专利]包括用于电流感测的分布式基准单元的存储器阵列

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括：

存储器单元，其中，各存储器单元具有与用于行的该存储器单元的共同存储器字线连接的第一端子以及与用于列的该存储器单元的共同存储器位线连接的第二端子；

基准单元，其中，各基准单元具有与共同基准字线连接的第一端子以及与基准位线连接的第二端子；以及

比较器，其中，各比较器包括电流镜，该电流镜包括：

基准部分，包括基准单元输入节点以及电流镜节点，其中，该基准单元输入节点通过该基准位线与该各基准单元电性连接，且其中，电流镜节点连接器将所有该比较器的所有电流镜节点电性连接；以及

存储器部分，包括存储器单元输入节点以及输出电压节点，其中，该存储器单元输入节点与用于给定列的该存储器单元的该共同存储器位线电性连接。

2.如权利要求1所述的存储器阵列，

其中，该基准部分包括在供应电压与下拉节点之间串联电性连接的两个第一P型场效应晶体管以及一第一N型场效应晶体管，

其中，该基准单元输入节点位于该两个第一P型场效应晶体管之间的接合处，且该电流镜节点位于该两个第一P型场效应晶体管的其中之一与该第一N型场效应晶体管之间的接合处，

其中，该存储器部分包括在该供应电压与该下拉节点之间串联电性连接的两个第二P型场效应晶体管以及一第二N型场效应晶体管，

其中，该存储器单元输入节点位于该两个第二P型场效应晶体管之间的接合处，且该输出电压节点位于该两个第二P型场效应晶体管的其中之一与该第二N型场效应晶体管之间的接合处，

其中，该两个第一P型场效应晶体管及该两个第二P型场效应晶体管的栅极由位于该电流镜节点的电流镜电压控制，以及

其中，该第一N型场效应晶体管及该第二N型场效应晶体管的栅极由偏置电压控制，以及

其中，额外N型场效应晶体管将该下拉节点与地电性连接。

3.如权利要求1所述的存储器阵列，其中，各比较器还包括次级比较器电路，该次级比较器电路比较位于该输出电压节点的输出电压与位于该电流镜节点的电流镜电压并在数字输出节点输出数字信号，其中，该数字信号的值依据该电流镜电压与该输出电压之间的电压差而变化，且其中，该电压差依赖于由与该基准位线连接的该各基准单元所传导的电流和由与该共同存储器位线连接的选定存储器单元所传导的电流之间的电流差。

4.如权利要求1所述的存储器阵列，其中，各比较器还包括次级比较器电路，该次级比较器电路包括：

差分放大器，接收来自该电流镜节点的电流镜电压以及来自该输出电压节点的输出电压作为输入；以及

反相器，与该差分放大器串联连接并在数字输出节点输出数字信号，其中，该数字信号的值依据该电流镜电压与该输出电压之间的电压差而变化，且其中，该电压差依赖于由与该基准位线连接的该各基准单元所传导的电流和由与该共同存储器位线连接的选定存储器单元所传导的电流之间的电流差。

5.如权利要求1所述的存储器阵列，还包括：

存储器字线电压生成器，生成存储器字线电压；

存储器字线解码器，分别向存储器字线施加该存储器字线电压；

基准字线电压生成器，生成基准字线电压；以及

基准字线解码器，向该基准字线施加该基准字线电压，

其中，依据正在执行的操作，分别通过该存储器字线电压生成器及该基准字线电压生成器改变该存储器字线电压及该基准字线电压的电平。

6.如权利要求5所述的存储器阵列，

其中，在用以确定选定存储器单元是未编程还是已编程的读取操作期间，该基准字线电压生成器将该基准字线电压设置在第一电平，该第一电平足以确保各基准单元传导基准电流量，该基准电流量在预期由未编程存储器单元所传导的第一电流量与小于该第一电流量并预期由已编程存储器单元所传导的第二电流量的中间，以及

其中，在用以编程该选定存储器单元的写入操作期间，该基准字线电压生成器将该基准字线电压设置在第二电平，该第二电平不同于该第一电平，以促进容限测试。

7.如权利要求1所述的存储器阵列，其中，各该存储器单元及该基准单元包括单个电荷捕获场效应晶体管。