[发明专利]气体调节装置及应用该装置的等离子体刻蚀设备

权利要求书

1.一种气体调节装置，其设置在一半导体处理设备内，用于向所述半导体处理设备的真空反应腔输送反应气体，其特征在于，所述的气体调节装置包含：

气槽装置，其包含一级气体扩散槽和二级气体扩散槽；

所述的一级气体扩散槽包含互相隔离的至少二个弧形的一级气体扩散区域，所述的弧形的一级气体扩散区域与至少一个进气口气体联通，用于将所述的进气口引入的反应气体进行一级扩散；

所述的二级气体扩散槽包含互相隔离的至少二个弧形的二级气体扩散区域，所述的二级气体扩散区域设置若干出气口与所述的真空反应腔气体联通；任意两个所述出气口的径向出气方向不同；

所述一级气体扩散槽和所述二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通；

所述的进气口、气体通道和出气口在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

2.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置至少一个中间气体扩散槽，所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽之间设置若干气体通道，所述的气体通道用于实现所述的中间气体扩散槽与所述的一级气体扩散槽和所述的二级气体扩散槽的气体联通。

3.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度；

所述的二级气体扩散区域之间的间隔部分的宽度小于等于气体通道的宽度，且小于等于出气口的宽度。

4.如权利要求3所述的气体调节装置，其特征在于，所述的一级气体扩散区域之间的间隔部分、二级气体扩散区域之间的间隔部分、进气口、气体通道和出气口之间在径向上交错设置，避免形成贯通气道，保证了反应气体能够在气槽装置中充分扩散，实现气体的均匀分布。

5.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，每一个进气口上均设置有气动组件和流量控制组件，气动组件用于控制进入气槽装置中气体的通断，流量控制组件用于实现进入气槽装置的反应气体的流量调节。

6.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，环绕所述气槽装置设置一加热装置。

7.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的气体调节装置还包含一向下延伸的内衬，所述内衬用于避免反应腔侧壁沉积污染物。

8.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的出气口为喷嘴或气体喷射孔。

9.如权利要求1所述的气体调节装置，其特征在于，所述的半导体处理设备为等离子体刻蚀设备。

10.一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，所述等离子体刻蚀设备包含一真空反应腔，所述真空反应腔包含一筒状反应腔侧壁及一顶部绝缘窗口，所述反应腔侧壁与所述顶部绝缘窗口之间设置一如权利要求1-9中任意一项所述的气体调节装置。