[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

安装有半导体元件的绝缘基板；

包围所述绝缘基板的外围壳体；

金属制且呈板状的第1端子导体，该第1端子导体与所述绝缘基板的表面平行地配置于所述绝缘基板的上部，且其两个端部固定于所述外围壳体的相对的侧壁；

第2端子导体，该第2端子导体的两个端部固定于所述外围壳体的相对的侧壁，且所述端部间呈现为不具有下底边的梯形轮廓的弯曲形状，且所述端部间与所述第1端子导体的上部相离且相对配置；

以规定图案形成于所述绝缘基板上的导体箔；

连接端子，该连接端子以朝向所述绝缘基板突起的状态形成于所述绝缘基板侧的所述第1端子导体；以及

绝缘块，该绝缘块配置在所述第1端子导体与所述第2端子导体之间，

所述绝缘块配置于所述第1端子导体与所述第2端子导体之间、在所述第1端子导体发生热形变时最靠近所述第2端子导体的位置，使所述第1端子导体与所述第2端子导体之间的所述绝缘块的厚度大于相当于相邻所述端子导体间所需绝缘耐压的距离，以使得能够确保规定的绝缘耐压。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘块以包围所述第2端子导体的一部分的方式设置于所述外围壳体的侧壁之间的中央附近的位置。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘块由聚苯硫醚树脂或环氧树脂形成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

由所述绝缘块所保持的所述端子导体间的距离为0.5mm以上5mm以下。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘块与所述第1端子导体及所述第2端子导体相接触，从而对因焊接所述连接端子与所述导体箔时的加热而发生热膨胀的所述端子导体的热变形进行抑制，并抑制所述连接端子与所述导体箔之间产生间隙。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘块在所述外围壳体的侧壁之间的所述第2端子导体的中央附近设有两处。