[发明专利]一种低成本高一致性压力传感器芯片制备方法在审
| 申请号： | 201910501531.1 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110155937A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 汪祖民 | 申请（专利权）人： | 龙微科技无锡有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81C3/00;G01L1/22 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 王闯;葛莉华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国际科技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 顶层 制备 压力传感器芯片 低成本 热氧化 上表面 氧化层 光刻工艺 硅片减薄 厚度控制 键合工艺 批量产品 研磨抛光 后抛光 敏感膜 出腔 减薄 刻蚀 制作 合成 芯片 | ||
1.一种低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1：选择双抛硅片作为底层硅片；
S2：对所述底层硅片进行热氧化形成第一氧化层；
S3：采用光刻工艺在所述底层硅片的上表面刻蚀出腔体；
S4：对所述底层硅片的上表面重新进行热氧化以制作第一氧化层；
S5：选择双抛硅片作为顶层硅片；
S6：将所述顶层硅片和所述底层硅片键合成一体；
S7：将所述顶层硅片减薄，减薄后抛光；
S8：采用离子注入技术在所述顶层硅片的顶面形成电阻；
S9：在所述顶层硅片的顶面制作第二氧化层，在所述第二氧化层表面制作通孔，然后采用溅射法形成金属层，然后通过光刻及刻蚀形成PAD点，然后在所述金属层表面制作保护层。
S10：在所述顶层硅片顶面涂抗碱性腐蚀胶；
S11：在所述底层硅片的底面涂抗碱性腐蚀胶然后光刻制作腐蚀区，然后通过碱性腐蚀溶液对所述腐蚀区进行腐蚀，从而在所述底层硅片内形成通气通道，所述通气通道连通腔体和外部。
2.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：所述S2和所述S4中的热氧化温度均为1100～1150℃。
3.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：所述S3中的腔体深度为50～70μm。
4.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：所述S4中的第一氧化层厚度为0.2～0.5μm。
5.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：所述S6中的键合过程包括先预键合和在所述预键合完成后的熔融键合，所述预键合在450℃进行，所述熔融键合在1300℃进行。
6.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：所述S9中的金属层厚度为0.1～0.2μm。
7.根据权利要求1所述的低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，其特征在于：在所述S11中，所述碱性腐蚀溶液采用95％的KOH溶液，温度设置为120℃。
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