[发明专利]一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法

权利要求书

1.一种薄膜生长组件，其特征在于，包括靶材和保护罩，所述靶材的材料为AlGa合金材料；所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内，所述密闭腔体内具有惰性气体，所述惰性气体用于保护所述溅射面，以使所述溅射面不被氧化。

2.根据权利要求1所述的组件，其特征在于，所述保护罩包括围绕所述靶材设置的挡墙和覆盖所述靶材溅射面的挡板，所述挡墙与所述挡板形成所述密闭腔体；所述挡板可拆卸安装在所述挡墙上。

3.根据权利要求1或2所述的组件，其特征在于，所述保护罩的材料为铝。

4.根据权利要求3所述的组件，其特征在于，所述AlGa合金材料中Al元素的占比为10％～100％，Ga元素的占比为0～90％。

5.一种薄膜生长方法，其特征在于，应用于权利要求1～4任一项所述的薄膜生长组件，所述方法包括：

将靶材的保护罩拆下，将所述靶材安装在溅射设备的溅射腔体内；

在反应气体充满所述溅射腔体后，对所述靶材进行溅射，使所述靶材溅射面的材料在衬底表面形成薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述靶材的材料为AlGa合金材料，所述反应气体为N₂，所述薄膜为AlGaN薄膜。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，薄膜生长结束后，还包括：

将所述靶材从所述溅射设备上取下，并将所述保护罩安装在所述靶材上。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，将所述保护罩安装在所述靶材上之前，还包括：

向所述保护罩的腔体内充入惰性气体。

9.一种LED制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

采用权利要求6所述的方法在所述衬底表面形成AlGaN薄膜；

依次在所述AlGaN薄膜表面形成N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层。