[发明专利]半导体工艺所用的方法在审
| 申请号： | 201910501892.6 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110600368A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 李溢芸;赵晟博;于雄飞;张哲豪;黄才育;张惠政;陈弘耀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极介电层 界面介电层 氮化 半导体工艺 快速热退火 蚀刻化学剂 栅极堆叠层 扩散 激光退火 快速退火 退火工艺 形成装置 栅极工艺 栅极结构 氮环境 氮原子 闪光灯 鳍状物 掺质 钝化 沉积 置换 穿过 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体工艺所用的方法，包括：
顺应性地形成一栅极介电层于自一基板延伸的一鳍状物上，且该栅极介电层顺应性地沿着该鳍状物上的多个栅极间隔物的多个侧壁；
在一含氨环境中采用一激光退火工艺或一闪光灯退火工艺以氮化该栅极介电层；以及
形成一或多个含金属层于该栅极介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
