[发明专利]掩膜板、三维存储器及相关制备与测量方法

权利要求书

1.一种掩膜板，应用于三维存储器台阶区域的刻蚀工艺中，其特征在于，所述掩膜板包括：

若干第一图案，所述若干第一图案与所述三维存储器台阶区域内的若干台阶的预设形成位置一一对应，用于在所述台阶的预设形成位置内的第一位置形成测量标记；

所述掩膜板具体应用于对所述三维存储器的堆叠结构进行刻蚀以形成台阶区域的工艺中。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一位置位于所述三维存储器的虚设区域内。

3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述若干第一图案沿至少两个方向排列，所述至少两个方向与所述三维存储器上至少两个台阶区域的预设形成方向相对应。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板还包括第二图案，所述第二图案与所述三维存储器的存储区域以及台阶区域内的顶层台阶的预设形成位置对应，用于在所述台阶区域内形成所述顶层台阶。

6.一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；其中，

所述堆叠结构包括台阶区域，在所述台阶区域内的台阶的表面上第一位置处形成有呈第一图案的测量标记；所述测量标记通过刻蚀所述堆叠结构而形成；

所述第一位置与所述台阶的预设形成位置对应；所述台阶位于台阶的实际形成位置；

所述第一位置距离相邻两台阶的预设形成位置的距离相等。

7.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述第一位置位于所述三维存储器的虚设区域内。

8.根据权利要求6所述的三维存储器，其特征在于，所述测量标记沿至少两个方向排列，所述至少两个方向与所述三维存储器上至少两个台阶区域的形成方向相对应。

9.一种三维存储器台阶区域的形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供衬底以及位于所述衬底上的堆叠结构；

在所述堆叠结构上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括若干第一图案，所述若干第一图案与所述三维存储器台阶区域内的若干台阶的预设形成位置一一对应；

采用所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构，在所述台阶的预设形成位置内的第一位置形成测量标记；

在所述堆叠结构上形成第二掩膜层；

采用所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构，形成若干台阶；所述测量标记转移到所述台阶的表面上。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一位置位于所述三维存储器的虚设区域内。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一位置位于沿阶梯方向上所述台阶的预设形成位置的中间。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一掩膜层还包括第二图案，所述第二图案与所述三维存储器的存储区域以及台阶区域内的顶层台阶的预设形成位置对应；

所述采用所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构，包括：在所述台阶区域内形成所述顶层台阶。

13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述采用所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构，形成若干台阶，包括：

执行若干次修整所述第二掩膜层尺寸的步骤，以使得修整后的所述第二掩膜层相比于修整前暴露出更多的所述堆叠结构的表面；

采用在所述堆叠结构上形成的所述第二掩膜层以及每一次修整后的所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述堆叠结构，形成若干所述台阶。

14.一种三维存储器台阶区域内台阶偏移量的确定方法，其特征在于，包括权利要求9-13中任意一项所述三维存储器台阶区域的形成方法中的步骤，还包括：

根据所述测量标记的位置以及所述台阶区域内台阶的实际形成位置，确定所述台阶的偏移量。