[发明专利]柔性器件缓冲层及其制备方法与柔性器件

说明书

本发明公开一种柔性器件缓冲层及其制备方法与柔性器件，其中，所述柔性器件缓冲层，包括乙烯‑乙烯醇共聚物膜层和无机层，所述无机层设于所述乙烯‑乙烯醇共聚物膜层表面。本发明所述缓冲层一方面利用乙烯‑乙烯醇共聚物膜层低杨氏模量的特点，另一方面结合无机层的高气体和水汽阻隔性以及耐高温性，从而有效解决了单独的无机层或者单独的有机层作为缓冲层所存在的问题。本发明所述缓冲层不仅具有高气体和水汽阻隔性能，有效防止气体透过缓冲层对柔性器件产生严重破坏，而且耐高温，还具有良好的弯折性能，适用于柔性器件的生产制造。

技术领域

本发明涉及柔性器件技术领域，特别涉及一种柔性器件缓冲层及其制备方法与柔性器件。

背景技术

柔性器件的衬底大多采用聚酰亚胺(Polyimide,PI)或者聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate,PEN)，但是这种衬底有很多缺点，比如对氧气、水蒸气的阻隔性能差；不耐高温，使用温度低，只能在低温下制备后续薄膜，这不利于化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)以及等离子体增强化学气相沉积 (plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)等方法制备后续薄膜时原子的扩散、形核、生长，从而使得制备的后续薄膜电阻率大，可见光透过率低以及与衬底的结合力差。

针对这些问题，目前大多采用在衬底表面沉积缓冲层，通过缓冲层来提高气体阻隔性能，增强耐高温性，改善与后续薄膜的匹配性。现有的缓冲层主要分为两类：一类是无机材料缓冲层，如硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)、以及氧化铝(Al₂O₃)等；另一类是有机材料缓冲层，如聚乙烯吡咯烷酮(PVP) 等。然而，这些缓冲层在实际应用中依然存在以下问题：

(1)有机材料缓冲层，如聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等，对氧气、水蒸气的阻隔性能差，氧气、水蒸气容易透过缓冲层对柔性器件产生严重破坏，并且不耐高温，使用温度低，由此会导致所制备后续薄膜的电阻率大，可见光透过率低以及与衬底的结合力差；

(2)无机材料缓冲层，如硅氧化物(SiO_x)、硅氮化物(SiN_x)、以及氧化铝(Al₂O₃)等，杨氏模量大，在柔性显示中不利于多次弯折。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种具有高气体和水汽阻隔性、耐高温并且低杨氏模量的柔性器件缓冲膜。

为实现上述目的，本发明提出的柔性器件缓冲层，包括乙烯-乙烯醇共聚物膜层和无机层，所述无机层设于所述乙烯-乙烯醇共聚物膜层表面。

进一步地，所述的柔性器件缓冲层，所述无机层包括含硅无机物和含铝无机物中的一种或两种。

进一步地，所述的柔性器件缓冲层，所述乙烯-乙烯醇共聚物膜层的厚度为1μm到10μm；

且/或，所述无机层的厚度为20nm到100nm。

本发明还提出一种柔性器件缓冲层的制备方法，包括以下步骤：

制备乙烯-乙烯醇共聚物膜层，得到乙烯-乙烯醇共聚物膜层；

在所述乙烯-乙烯醇共聚物膜层表面制备无机层。

进一步地，所述的柔性器件缓冲层的制备方法，“在所述乙烯-乙烯醇共聚物膜层表面制备无机层”的步骤包括：

将所述乙烯-乙烯醇共聚物膜层放入原子层沉积设备的反应室内；