[发明专利]一种电场辅助下低温快速固化核素的方法在审
申请号: | 201910504016.9 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110204332A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 王一光;任科 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/622;C04B35/64;G21F9/30 |
代理公司: | 北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人: | 邬晓楠 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 快速固化 电场辅助 目标化合物 核废料 后处理 电场作用 固相反应 混合粉体 快速合成 临界电场 模压成型 人造岩石 氧化物 球磨 能耗 合成 施加 节约 | ||
1.一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:将核废料和吸附剂混合得到成分均匀的混合所得物,成型后制得试样,然后将试样升温至600℃以上,在此温度下施加临界强度的电场,保持电场直至电流急速增加,待达到设定电流并稳定一段时间,使混合材料迅速形成固化体。
在临界电场作用下,对试样施加的设定电流不小于临界电流密度的电流,所述不小于临界电流密度的电流为:发生快速反应的最小电流密度乘以试样的横截面积等于所施加的电流值。
2.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述电场为恒定电场或交变电场。
3.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述临界强度的电场的强度E为:10V/cm≤E≤1500V/cm。
4.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述临界电流密度j为:5mA/mm2≤j≤700mA/mm2。
5.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述一段时间为不大于60分钟。
6.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述混合所得物的成分组成为一种或多种核素氧化物和吸附剂;所述吸附剂包括氧化锆或氧化钛。
7.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述混合方法包括球磨法或共沉淀法;所述试样为不同成型手段所制得,所述成型手段包括模压成形或注塑成型。
8.如权利要求1所述的一种电场辅助下低温快速固化核素的方法,其特征在于:所述核废料包含La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、Ac、Th、Pa、U、Np、Pu、Am、Cm、Bk、Cf、Es、Fm、Md、Md、No或Lr元素的固相化合物。
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