[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201910504548.2 申请日: 2019-06-12
公开(公告)号: CN110600433A 公开(公告)日: 2019-12-20
发明(设计)人: 儿玉晃忠;古川将人 申请(专利权)人: 住友电工光电子器件创新株式会社;住友电气工业株式会社
主分类号: H01L23/043 分类号: H01L23/043;H01L23/10;H01L25/07;H01L23/498
代理公司: 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王伟;安翔
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 金属框架 馈通 金属侧板 金属基体 半导体元件 半导体装置 突出形状 侧表面 布线 所述空间 组合截面 覆盖
【说明书】:

本发明公开了一种半导体装置,所述半导体装置包括金属基体、金属框架、半导体元件、馈通件和金属侧板。所述半导体元件在由所述金属基体和所述金属框架限定的空间中被安装在所述金属基体上。所述馈通件被插入到所述金属框架的切口中,并且包括布线、将所述布线安装在其上的下部块以及安装在所述下部块上的上部块。所述下部块和所述上部块的组合截面形状是突出形状。所述上部块的一部分位于所述空间的内部。所述金属侧板设置在所述馈通件的侧表面与所述金属框架的所述切口之间。所述金属侧板具有突出形状并且覆盖所述馈通件的整个侧表面。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2018年6月13日提交的日本专利申请No.2018-113200的优先权的权益,其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置。

背景技术

在半导体装置的领域中,诸如半导体元件的电子组件可以被气密密封,以便受保护以免于湿气和异物的影响。相对于经密封的电子组件的信号输入和输出经由馈通件执行。在这种气密密封的封装中,由于温度变化,由氧化铝制成的突出形状馈通件被施加来自围绕馈通件的金属壁的应力而产生裂纹,使得可能丧失气密性。JP2012-038837A公开了一种构造,在所述构造中,馈通件的上部的厚度被形成为大于金属壁的厚度,以便防止气密性丧失。

发明内容

本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括金属基体、金属框架、半导体元件、馈通件和金属侧板。所述金属框架被放置在所述金属基体上。所述金属框架设置有穿透所述金属框架的至少一个切口。所述半导体元件在由所述金属基体和所述金属框架限定的空间中被安装在所述金属基体上。所述馈通件被插入到所述金属框架的所述切口中,并安装在所述金属基体上。所述馈通件包括布线、下部块和上部块。所述布线被构造成将位于所述空间的内部的所述半导体元件与位于所述半导体装置的外部的电气部件电连接。所述下部块由陶瓷制成,并将所述布线安装在其上。所述上部块由陶瓷制成,并被安装在所述下部块上。沿着将所述上部块安装在所述下部块上的安装方向,所述下部块和所述上部块的组合截面形状呈突出形。所述上部块的一部分位于所述框架的内部。所述金属侧板设置在所述馈通件的、沿着所述布线的延伸方向展开的侧表面与所述金属框架的所述切口之间。所述金属侧板具有突出形状,并且覆盖所述馈通件的整个侧表面。

附图说明

从参考附图对本公开实施例的以下详细描述中,将更好地理解前述及其它目的、方面和优点,在附图中:

图1是根据第一实施例的半导体装置的平面图;

图2是沿着图1中的II-II线截取的半导体装置的横截面图;

图3是图示根据第一实施例的半导体装置中的馈通件和一对侧板的视图;

图4是从内部观察的、根据第一实施例的半导体装置的馈通件的视图;

图5是示出在根据第二实施例的半导体装置中、被侧板结合的馈通件的立体图。以及

图6是示出在根据第三实施例的半导体装置中、被侧板结合的馈通件的立体图。

具体实施方式

[待由本公开解决的问题]

JP2012-038837A中公开的半导体装置可减小集中于馈通件的下部与馈通件的上部之间的连接点上的应力。然而,在用于卫星的半导体装置或安装有高功率半导体元件的半导体装置中,已要求更可靠地防止因严苛的温度条件和具有大温度变化的热循环所引起的裂纹发生。

[本公开的有益效果]

根据本公开,可以提供一种半导体装置,其中,防止了由于温度变化而导致的馈通件中产生裂纹。

[本公开的实施例的描述]

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