[发明专利]一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法

说明书

本申请公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件，所述金属氧化物薄膜晶体管器件包括：基板；栅极，设置在所述基板上；绝缘层，沉积在所述栅极上；有源层，覆盖于所述绝缘层上，所述有源层上设置有源极和漏极，所述有源层采用的材料为掺杂锂元素的氧化锌铟；封装层，沉积于所述源极和所述漏极上，以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。本申请还公开了一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法。本申请通过采用掺杂锂元素的氧化锌铟制备有源层，掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了金属氧化物TFT器件的性能。

技术领域

本申请涉及液晶显示领域，尤其涉及一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的快速发展，为了满足更高的用户体验需求，高分辨率、大寸的平板显示器的研发将成为一种必然的发展趋势，传统的硅基薄膜晶体管(TFT，Thin FilmTransistor)己经逐渐难以满足市场需求，而金属氧化物TFT因其迁移率髙、面积大、均匀性好、开口率高等诸多优势，成为显示技术发展中最有力的竞争者。

一般的金属氧化物TFT的有源层通常采用氧化锌铟制备而成，然而采用该种材料制成的金属氧化物TFT其有源层载流子浓度过高，导致金属氧化物TFT的性能差。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件，旨在解决传统金属氧化物薄膜晶体管器件有源层载流子浓度过高，器件性能差的技术问题。

为实现上述目的，本申请提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件，包括：基板；栅极，设置在所述基板上；绝缘层，沉积在所述栅极上；有源层，覆盖于所述绝缘层上，所述有源层上设置有源极和漏极，所述有源层采用的材料为掺杂锂元素的氧化锌铟(InZnO)；封装层，沉积于所述源极和所述漏极上，以将所述源极和漏极与外部绝缘隔离。

可选地，所述绝缘层和所述封装层采用的材料为氮化硅(SiNx)、或氧化硅(SiOx)、或SiNx和SiOx的组合。

可选地，所述源极和所述漏极采用的材料为钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)复合结构。

可选地，所述栅极采用的材料为钼(Mo)、铝(Al)和Mo/Al/Mo复合结构中的一种。

可选地，所述有源层厚度为30nm-50nm。

此外，为实现上述目的，本申请还提供一种金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法，所述金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法包括：在基板上制备栅极；在所述栅极上沉积绝缘层；在所述绝缘层上制备有源层，所述有源层的材料为掺杂锂(Li)元素的InZnO；在所述有源层上制备源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积封装层。

可选地，所述在所述绝缘层上制备有源层，所述有源层的材料为掺杂锂元素的InZnO的步骤之后还包括：对所述有源层进行退火处理。

可选地，所述退火处理的退火温度为550℃-650℃。

可选地，所述有源层的制备过程中通入氧气。

可选地，通入的氧气流量为2SCCM-4SCCM。

本申请实施例提出的一种金属氧化物薄膜晶体管器件及其制作方法，通过采用掺杂锂元素的氧化锌铟制备有源层，掺杂的锂元素可以置换掉有源层中的锌，降低了有源层的载流子浓度，提高了金属氧化物薄膜晶体管器件的性能。

附图说明

图1是本申请金属氧化物薄膜晶体管器件实施例的结构示意图；

图2是本申请金属氧化物薄膜晶体管器件的制作方法实施例的流程示意图。