[发明专利]一种适用于DC-DC变换器的功率管栅源电压欠压检测电路

权利要求书

1.一种适用于DC-DC变换器的功率管栅源电压欠压检测电路，其特征在于，所述欠压检测电路包括电压采样模块、时间基准产生模块和逻辑运算模块，

所述电压采样模块用于采样所述功率管的栅极信号并输出采样信号，所述采样信号与所述功率管的栅极信号的延时时间为T1；所述电压采样模块包括采样单元，所述采样单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻和第一电流源，

第一PMOS管的栅极连接第三PMOS管的源极并作为所述电压采样模块的输入端，其源极连接第二PMOS管、第四PMOS管和第六PMOS管的源极并连接所述采样单元电源轨的相对高电平，其漏极连接第一NMOS管和第二PMOS管的漏极以及第二NMOS管和第四PMOS管的栅极；

第一NMOS管的栅极连接第三PMOS管的栅极和漏极并通过第一电阻后连接第一NMOS管和第二NMOS管的源极以及所述采样单元电源轨的相对低电平；

第五PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极以及第六PMOS管的栅极和漏极并通过第一电流源后连接所述采样单元电源轨的相对低电平，其源极连接第四PMOS管的漏极，其漏极连接第二NMOS管的漏极并输出所述采样单元的输出信号，所述采样单元的输出信号随所述功率管的栅极信号变化，所述采样信号根据所述采样单元的输出信号产生；

所述时间基准产生模块用于将所述功率管的控制信号进行延时时间为T2的延时后产生窄脉冲信号，所述窄脉冲信号作为时间基准信号，所述功率管的控制信号与所述功率管的栅极信号同相；所述时间基准产生模块包括第三反相器、第四反相器、第五反相器、第六反相器、第七反相器、第八反相器、第三电阻、第一电容、第二电容、第五NMOS管、第八PMOS管和第一与非门，

第三反相器的输入端连接所述功率管的控制信号，其输出端连接第五NMOS管和第八PMOS管的栅极；

第八PMOS管的源极连接低压电源，其漏极通过第三电阻后连接第五NMOS管的漏极和第四反相器的输入端并通过第一电容后连接第五NMOS管的源极和地电平；

第五反相器的输入端连接第四反相器的输出端，其输出端连接第六反相器的输入端和第一与非门的第一输入端；

第七反相器的输入端连接第六反相器的输出端并通过第二电容后连接地电平，其输出端通过第八反相器后连接第一与非门的第二输入端；

第一与非门的输出端输出所述时间基准信号；

所述逻辑运算模块用于比较所述采样信号和时间基准信号，当T1大于T2时产生欠压信号。

2.根据权利要求1所述的适用于DC-DC变换器的功率管栅源电压欠压检测电路，其特征在于，所述功率管为低侧功率管时，所述采样单元的电源轨为所述DC-DC变换器的低侧电源轨，所述采样单元的电源轨的相对高电平为低压电源，所述采样单元的电源轨的相对低电平为地电平，所述采样单元的输入端连接所述低侧功率管的栅极信号，所述采样单元的输出信号为所述采样信号。

3.根据权利要求1所述的适用于DC-DC变换器的功率管栅源电压欠压检测电路，其特征在于，所述功率管为高侧功率管时，所述采样单元的电源轨为所述DC-DC变换器的高侧电源轨，所述采样单元的电源轨的相对高电平为所述DC-DC变换器的浮动电源，所述采样单元的电源轨的相对低电平为所述DC-DC变换器的开关节点处电平，所述采样单元的输入端连接所述高侧功率管的栅极信号；

所述电压采样模块还包括电平位移单元，所述电平位移单元用于将所述采样单元的输出信号从所述DC-DC变换器的高侧电源轨转换为所述DC-DC变换器的低侧电源轨后作为所述采样信号。