[发明专利]一种还原炉辅助成像系统及自动控制方法在审
申请号: | 201910504843.8 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110182811A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 李中华;李力;葛冬松;谢岩 | 申请(专利权)人: | 新疆协鑫新能源材料科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;G01J5/00;G01B11/08 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 肖明芳 |
地址: | 831100 新疆维吾尔自治区昌吉回*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 还原炉 红外监测探头 模数转换器芯片 辅助成像系统 数字图像 视镜 影像 电荷参数 光线转变 控制参数 数字信号 压缩存储 转换 聚焦 镜头 | ||
本发明公开了一种还原炉辅助成像系统及自动控制方法,所述包括红外监测探头和模数转换器芯片;所述红外监测探头包括CCD相机,红外监测探头固定于还原炉视镜处,当还原炉视镜处的光通过CCD相机的镜头聚焦成影像后,CCD相机就会将影像的光线转变为电荷参数,再通过模数转换器芯片转换成数字信号,经过压缩存储转换为数字图像,系统对数字图像进行处理,获取控制参数。
技术领域
本发明涉及一种还原炉辅助成像系统及自动控制方法。
背景技术
还原炉内的流场、温度场等分布形式在设计初期基本确定,还原炉唯一可变的是喷嘴数量及分布,可以通过封堵、改变喷嘴口径及高度等手段进行流场、温度场的调节,但是喷嘴的规格及数量一旦确认,在一个开炉周期内无法更改。多晶硅的生长是动态的过程,还原炉运行过程中电流、流量、物料配比、硅棒直径一直在变化,喷嘴的规格和数量只能满足运行周期中的某一时间段的要求,需要针对全过程的工艺参数进行自动跟踪调节;还原炉现有控制方法为物料与电流分开控制,温度是靠通过观测窗的点测温,以点带面,而直径的测量完全靠工人的工作经验目测,并通过一个红外测温仪监测数据调整电流以及增减混合气进气量,主观因素、偶然因素很高,不能满足整个生产运行过程中电流和进料及配比的实时调整。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种还原炉辅助成像系统,包括红外监测探头、图像处理模块和模数转换器芯片;
所述红外监测探头包括CCD相机,红外监测探头固定于还原炉视镜处,当还原炉视镜处的光通过CCD相机的镜头聚焦成影像后,CCD相机就会将影像的光线转变为电荷参数,再通过模数转换器芯片转换成数字信号,经过压缩(比如将图像大小压缩为原来的一半)存储转换为数字图像,图像处理模块对数字图像进行处理,计算获取控制参数。
所述图像处理模块对数字图像进行处理,计算获取控制参数,具体包括如下步骤:
步骤a1,所述数字图像为硅棒间距图像,首先计算得到硅棒径向生长速度V及硅棒直径D:
ST1=CT1×PT1,
DT1=ST1-S0+D0,
V=(ST2-ST1)/(T2-T1),
式中,ST1为T1时刻计算所得的硅棒间距值,CT1为T1时刻硅棒间距图像像素值与硅棒间距实际像素的比值(硅棒间距实际像素通过在还原炉外直接拍摄硅棒间距图像获得,还原炉硅棒间距在还原炉设计制造过程中是固定的,就是说硅棒和硅棒之间的距离是固定的,比如目前各类型还原炉的硅棒间距基本为250毫米,选择的硅芯基本上是15*15,这样在运行初期CCD测量的初始数值就是两根硅棒最大间距,随着时间推移,硅棒越来越粗,两根棒之间间距会逐步缩小,硅棒的像素值和没有硅棒所测量得出的空间像素值是不一样的,这样就得到了实际硅棒直径),PT1为T1时刻硅棒间距图像像素值;S0为硅棒间距初始测量值;D0为硅棒初始直径,即硅芯直径;DT1为T1时刻计算所得的硅棒直径;ST2为T2时刻计算所得的硅棒间距值,T2、T1为相邻2次检测的时间,一般T2、T1间隔5~10秒;
步骤a2,计算获得T1时刻瞬时电耗P和瞬时原料转化率α:
P=UI/75.4ρDT1VL,
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