[发明专利]半导体装置和系统有效

专利信息
申请号: 201910505029.8 申请日: 2012-03-01
公开(公告)号: CN110246825B 公开(公告)日: 2023-07-04
发明(设计)人: 增渕勇人;木村直树;松本学;森本丰太 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L23/00;H01L23/528;H01L23/552;H10B80/00;H05K1/02;H05K1/18;H05K3/30;G11C5/02
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 李智;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其中,包括:

基板,其包括能够连接于计算机的连接器;

驱动控制电路,其搭载于所述基板,与所述连接器电连接;

多个非易失性半导体存储器,其由所述驱动控制电路控制;以及

粘结部,其使所述非易失性半导体存储器的表面露出,并且填充于所述非易失性半导体存储器彼此的间隙和所述非易失性半导体存储器与所述基板的间隙,

所述基板包含多个布线层,所述多个布线层中的至少1个布线层在与所述非易失性半导体存储器彼此的间隙相对的部分的至少一部分设置有缝隙。

2.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

在所述连接器,设置有扼流线圈。

3.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

在所述驱动控制电路的附近设置有扼流线圈。

4.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

所述连接器设置于所述基板的短边,

所述多个非易失性半导体存储器在俯视时,从所述驱动控制电路的位置观察,设置于与所述连接器相反侧。

5.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

还包括由所述驱动控制电路控制的易失性半导体存储器,

所述粘结部使所述易失性半导体存储器的表面露出,并且填充于所述非易失性半导体存储器与所述易失性半导体存储器的间隙和所述易失性半导体存储器与所述基板的间隙。

6.根据权利要求5所记载的半导体装置,其中,

所述连接器设置于所述基板的短边,

所述易失性半导体存储器在俯视时,从所述非易失性半导体存储器观察,设置于与所述连接器相同侧。

7.根据权利要求5所记载的半导体装置,其中,

所述易失性半导体存储器为DRAM。

8.根据权利要求5所记载的半导体装置,其中,

所述易失性半导体存储器为MRAM。

9.根据权利要求8所记载的半导体装置,其中,

所述MRAM具有抑制磁向内部的侵入的磁屏蔽部。

10.根据权利要求8所记载的半导体装置,其中,

还包括覆盖所述MRAM的周围而抑制磁向所述MRAM的侵入的封装。

11.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

包括测定所述非易失性半导体存储器的温度的温度传感器。

12.根据权利要求11所记载的半导体装置,其中,

所述驱动控制电路在由所述温度传感器测定到的温度变为预定的温度以上的情况下,限制向所述非易失性半导体存储器的信息的写入。

13.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

所述粘结部填充至比所述非易失性半导体存储器的高度的中间低的部位。

14.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

所述粘结部的表面仅在所述非易失性半导体存储器彼此的间隙露出。

15.根据权利要求1所记载的半导体装置,其中,

所述粘结部在将所述非易失性半导体存储器彼此拉近的方向上产生应力。

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