[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置

权利要求书

1.半导体器件的制造方法，其具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序，该循环中不同时地执行如下工序：

向处理室内的所述衬底供给包含规定元素的原料的工序；

从所述处理室内除去所述原料的工序；

向所述处理室内的所述衬底供给包含氮、碳以及氢的第1反应体的工序；

从所述处理室内除去所述第1反应体的工序；

向所述处理室内的所述衬底供给包含氧的第2反应体的工序；

从所述处理室内除去所述第2反应体的工序，

除去所述原料的工序、除去所述第1反应体的工序以及除去所述第2反应体的工序分别包含向所述处理室内供给吹扫气体并进行排气的工序，

在将除去所述原料的工序的实施时间设定为比除去所述第1反应体的工序的实施时间长的同时，将除去所述原料的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

将除去所述原料的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第2反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将除去所述原料的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大的同时，将除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第2反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

在除去所述原料的工序中，将向所述处理室内供给吹扫气体的工序和在停止或者实质上停止向所述处理室内的所述吹扫气体的供给的状态下对所述处理室内进行真空排气的工序交替执行规定次数，

在除去所述第1反应体的工序和除去所述第2反应体的工序中，一边向所述处理室内供给所述吹扫气体一边进行排气。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，

所述膜包含所述规定元素、氧以及碳。

6.半导体器件的制造方法，其具有通过执行规定次数的循环而在衬底上形成膜的工序，该循环中不同时地执行如下工序：

向处理室内的所述衬底供给包含规定元素的原料的工序；

从所述处理室内除去所述原料的工序；

向所述处理室内的所述衬底供给包含氮、碳以及氢的第1反应体的工序；

从所述处理室内除去所述第1反应体的工序；

向所述处理室内的所述衬底供给包含氧的第2反应体的工序；

从所述处理室内除去所述第2反应体的工序，

除去所述原料的工序、除去所述第1反应体的工序以及除去所述第2反应体的工序分别包含向所述处理室内供给吹扫气体并进行排气的工序，

在将除去所述第2反应体的工序的实施时间设定为比除去所述第1反应体的工序的实施时间长的同时，将除去所述第2反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，

将除去所述第2反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述原料的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其中，

在将除去所述第2反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量大的同时，将除去所述第1反应体的工序中的所述吹扫气体的供给流量设定为比除去所述原料的工序中的所述吹扫气体的供给流量大。