[发明专利]真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法

说明书

本发明提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化有利的技术。在真空处理装置的处理容器内中，在彼此相邻的位置，第一输送空间和第二输送空间在水平方向延伸设置，并且，沿上述延伸设置方向在第一输送空间与第二输送空间之间形成中间壁部。在第一输送空间沿延伸设置方向配置1个以上的上述处理空间，在第二输送空间沿延伸设置方向配置2个以上的上述处理空间。而且，在中间壁部内形成有：对上述3个以上的处理空间分别设置的排气通路和上述排气通路在其中合流的合流排气通路。在处理容器内设置合流排气通路，因此能够实现真空处理装置的小型化和简单化。

技术领域

本发明涉及真空处理装置、真空处理系统和真空处理方法。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，在真空气氛下对作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)进行蚀刻、成膜等的各种各样的处理。作为如上所述对基片进行真空处理的真空处理装置，在专利文献1记载了一种在真空容器内在周向等间隔地配置4个基片处理部的结构。在真空容器内的中央设置有晶片的移载机构，经由设置于真空容器的外周部底面的排气口对真空容器内的气氛进行真空排气。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-199735号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种有利于真空处理装置的小型化和简单化的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的真空处理装置，

其对配置于真空气氛的处理空间的基片供给处理气体以进行真空处理，上述真空处理装置的特征在于，包括：

用于输送上述基片的第一输送空间和第二输送空间，其形成在进行上述真空处理的处理容器内的彼此相邻的位置，并且各自从形成于上述处理容器的侧面的送入送出口在水平方向延伸设置；和

沿上述延伸设置方向形成在上述第一输送空间与第二输送空间之间的中间壁部，

在上述第一输送空间沿上述延伸设置方向配置1个以上的上述处理空间，在上述第二输送空间沿上述延伸设置方向配置2个以上的上述处理空间，

在上述中间壁部内形成有：对隔着该中间壁部配置的3个以上的处理空间分别设置的排气通路；和合流排气通路，上述排气通路在其中合流。

发明效果

依照本发明，有利于真空处理装置的小型化和简单化。

附图说明

图1是说明本发明的一实施方式的真空处理系统的结构的俯视图。

图2是说明设置在上述真空处理系统的真空处理装置的结构例的分解立体图。

图3是说明上述真空处理装置的结构的概略俯视图。

图4是说明上述真空处理装置的结构的纵截侧视图。

图5是说明上述真空处理装置的气体供给系统的一例的说明图。

图6是说明上述真空处理装置的作用的局部纵截侧视图。

图7A是说明本发明的真空处理装置的第一变形例的俯视图。

图7B是说明本发明的真空处理装置的第二变形例的俯视图。

图7C是说明本发明的真空处理装置的第三变形例的俯视图。

附图标记说明

2 真空处理装置

20 处理容器