[发明专利]成膜装置有效
申请号: | 201910505338.5 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110592558B | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 岩下伸也;铃木步太;进藤崇央;传宝一树;松土龙夫;森田靖;菊地贵伦;守屋刚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/455;C23C16/40;C23C16/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种成膜装置,具备:
处理容器,其能够进行真空排气;
下部电极,其在所述处理容器内载置被处理基板;
上部电极,其在所述处理容器内与所述下部电极相向地配置;
气体供给部,其将用于在所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到所述处理空间;
电压施加部,其具有高频电源和直流电源,并向所述上部电极施加从所述高频电源和所述直流电源中的至少一方输出的电压,
其中,所述成膜装置能够按照如下三种方式来生成等离子体:所述电压施加部向所述上部电极施加从所述高频电源输出的高频电压以生成等离子体,所述电压施加部向所述上部电极施加从所述直流电源输出的脉冲状的直流电压以生成等离子体,所述电压施加部向所述上部电极施加从所述直流电源输出的直流电压叠加于所述高频电压所得到的叠加电压以生成等离子体,按照所述三种方式生成的各等离子体能够在所述被处理基板上形成膜质互不相同的薄膜,
所述成膜装置还包括切换部,其通过在所述电压施加部向所述上部电极施加所述高频电压以生成等离子体、所述电压施加部向所述上部电极施加所述脉冲状的直流电压以生成等离子体、所述电压施加部向所述上部电极施加所述叠加电压以生成等离子体之间进行切换,来控制形成的薄膜的膜质,
由所述切换部控制的薄膜的膜质为薄膜的膜应力,
向所述上部电极施加所述高频电压以生成所述成膜原料气体的等离子体,从而使形成的薄膜的膜应力为拉伸应力,向所述上部电极施加所述叠加电压以生成所述成膜原料气体的等离子体,从而使形成的薄膜的膜应力为压缩应力。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
还具备连接于所述下部电极与接地之间的阻抗调整电路。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
在所述电压施加部向所述上部电极施加所述叠加电压来生成等离子体的情况下,从所述直流电源输出的直流电压是固定的。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的