[发明专利]一种Al2 有效
申请号: | 201910505348.9 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110136966B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 高娟;查婷玉;孙小卫;王艳芬;倪晋波 | 申请(专利权)人: | 安徽理工大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042;B82Y30/00 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 张明利 |
地址: | 230031 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 al base sub | ||
1.一种Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料,其特征在于,所述复合材料由Al2O3薄膜包覆Ag颗粒修饰的二氧化钛纳米棒阵列组装而成,其中Al2O3的厚度为5-50nm;
所述Ag颗粒修饰的二氧化钛纳米棒是通过将TiO2纳米棒放入磁控溅射腔体内,控制溅射时间获得负载有Ag颗粒的TiO2纳米棒得到的,所述Ag颗粒制备工艺中磁控溅射的工艺参数为:溅射温度:室温;背底真空压强:5×10-4Pa;保护气氛:Ar气;气体流量:20SCCM;工作压强:0.3Pa;射频功率:15W;靶材:99.999%纯度的金属银靶。
2.如权利要求1所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)TiO2纳米棒阵列制备:将钛酸四正丁酯、盐酸加入去离子水中,常温下搅拌10min,得混合溶液;然后将混合溶液倒入盛有FTO的反应釜中,在温度为150℃下反应10h,随后自然冷却至室温,将沉积好TiO2纳米棒的基底取出,并使用去离子水清洗,干燥,获得TiO2纳米棒;
2)Ag颗粒制备工艺:
将步骤1)制备的TiO2纳米棒放入磁控溅射腔体内,控制溅射时间获得负载有Ag颗粒的TiO2纳米棒;
3)Al2O3薄膜制备工艺: 将制备的负载有Ag颗粒的二氧化钛纳米棒放入原子层沉积设备腔体内,控制腔体温度到达生长温度200℃后,先通入金属源脉冲0.02s,接着通入N2清洗脉冲8s,再通入氧源H2O脉冲0.02s,最后通入N2清洗脉冲8s;循环上述操作若干周期,获得Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料。
3.根据权利要求2所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,所述TiO2纳米棒阵列制备中钛酸四正丁酯、盐酸、去离子水的体积比为1:30:30。
4.根据权利要求2所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,所述TiO2纳米棒阵列制备中,FTO导电面朝下,FTO与反应釜内胆壁成30-40°放置。
5.根据权利要求2所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,所述TiO2纳米棒阵列制备中,干燥条件:温度为50℃恒温箱中干燥30min。
6.根据权利要求2所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,所述Al2O3薄膜制备工艺中原子层沉积工艺参数:金属源为三甲基铝;三甲基铝和H2O均为室温。
7.根据权利要求2所述的Al2O3-Ag@TiO2纳米棒光阳极复合材料的制备方法,其特征在于,所述Al2O3薄膜制备工艺中原子层沉积工艺至少循环5个周期。
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