[发明专利]一种有机发光显示面板及装置有效
申请号: | 201910505946.6 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110246879B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 张鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司;武汉天马微电子有限公司上海分公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示 面板 装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括显示区和围绕所述显示区的非显示区;
所述有机发光显示面板还包括:
衬底基板;
薄膜封装层,所述薄膜封装层位于所述衬底基板的一侧,且所述薄膜封装层覆盖所述显示区,且延伸至部分所述非显示区;
其中,所述薄膜封装层包括至少一有机层和至少一无机层,所述有机层位于所述衬底基板与至少一所述无机层之间,靠近所述衬底基板的一所述有机层至少包括靠近所述衬底基板一侧的有机层下表面,沿背离所述显示区的方向,所述有机层下表面到所述衬底基板靠近所述薄膜封装层一侧的衬底基板表面的垂直距离逐渐减小;
其中,所述非显示区包括厚度减薄区,所述厚度减薄区位于所述非显示区靠近所述显示区的一侧;在所述显示区,所述有机层下表面到所述衬底基板靠近所述薄膜封装层一侧的衬底基板表面的垂直距离大于在所述厚度减薄区,所述有机层下表面到所述衬底基板靠近所述薄膜封装层一侧的衬底基板表面的垂直距离,以在所述厚度减薄区形成容纳所述有机层的容纳空间;且所述有机层于所述厚度减薄区不同位置的厚度不同。
2.根据权利要求1所述有机发光显示面板,其特征在于,还包括:
缓冲层,所述缓冲层位于所述衬底基板上;
像素电路阵列层,所述像素电路阵列层位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,所述像素电路阵列层包括至少一绝缘层,所述像素电路阵列层位于所述显示区;
平坦化层,位于所述像素电路阵列层背离所述衬底基板的一侧;
有机发光结构,位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧;
像素定义层,所述像素定义层的开口定义所述有机发光结构;
所述薄膜封装层覆盖所述有机发光结构;
其中,所述非显示区包括膜层减薄区;所述膜层减薄区的所述缓冲层、所述像素电路阵列层的至少一层绝缘层、所述平坦化层以及所述像素定义层中的至少一个膜层的厚度小于所述显示区中对应的位于同一膜层的厚度。
3.根据权利要求2所述有机发光显示面板,其特征在于,所述膜层减薄区的所述缓冲层、所述至少一层绝缘层、所述平坦化层以及所述像素定义层中的至少一个膜层的厚度沿背离所述显示区的方向连续逐渐减小。
4.根据权利要求2所述有机发光显示面板,其特征在于,所述膜层减薄区的所述缓冲层、所述至少一层绝缘层、所述平坦化层以及所述像素定义层中的至少一个在所述膜层减薄区形成至少一个台阶结构。
5.根据权利要求4所述有机发光显示面板,其特征在于,所述台阶结构的坡度为W,25°≤W≤35°。
6.根据权利要求1所述有机发光显示面板,其特征在于,还包括:
缓冲层,所述缓冲层位于所述衬底基板上;
像素电路阵列层,所述像素电路阵列层位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,所述像素电路阵列层包括至少一绝缘层,所述像素电路阵列层位于所述显示区;
平坦化层,位于所述像素电路阵列层背离所述衬底基板的一侧;
有机发光结构,位于所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧;
像素定义层,所述像素定义层的开口定义所述有机发光结构;
所述薄膜封装层覆盖所述有机发光结构;
其中,所述像素电路阵列层包括钝化层,所述钝化层位于所述平坦化层远离所述薄膜封装层的一侧;所述非显示区包括所述钝化层以及所述平坦化层中的至少一层。
7.根据权利要求4所述有机发光显示面板,其特征在于,所述台阶结构包括平坦化层台阶结构;所述平坦化层形成至少一个所述平坦化层台阶结构,所述平坦化层台阶结构的高度为H3,0.5μm≤H3≤1.5μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的