[发明专利]开关模式功率变换器有效
申请号: | 201910506366.9 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110620509B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | F·阿居;S·特洛徐特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 开关 模式 功率 变换器 | ||
1.一种电子设备,包括:
电感元件,将第一节点耦合到第二节点,所述第一节点被配置为接收输入电压;
第一晶体管,将所述第二节点耦合到第三节点,所述第三节点被配置为生成输出电压;以及
第一控制电路,包括第一开关,所述第一开关将所述第三节点耦合到所述第一晶体管的控制端子,
其中所述设备形成开关模式功率变换器,所述开关模式功率变换器用于将所述输入电压转换为所述输出电压;
其中所述第一控制电路还包括:
电容元件,连接在所述第二节点与第五节点之间;以及
第一二极管和第三开关的串联关联,连接在所述第五节点与所述第一晶体管的控制端子之间;
其中所述第三开关的控制端子连接到所述第一开关的控制端子。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中第二开关将所述第二节点耦合到施加参考电位的第四节点。
3.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一开关是第二晶体管,所述第二晶体管具有的沟道掺杂有与所述第一晶体管的沟道相同的导电类型。
4.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一晶体管具有N沟道。
5.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一控制电路包括用于控制所述第一开关的第二控制电路。
6.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第三开关是第三晶体管,所述第三晶体管具有掺杂有第一导电类型的沟道,并且其中所述第一晶体管具有掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的沟道。
7.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一晶体管与第二二极管串联耦合在所述第二节点与所述第三节点之间。
8.根据权利要求7所述的电子设备,其中所述第二二极管和所述第一晶体管的体二极管相对于彼此沿反向方向连接。
9.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述设备是电子电路的部件。
10.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一控制电路被配置为:通过接通所述第一开关将所述第一晶体管设置为断开状态,来响应于施加向所述第一节点供应所述输入电压的DC电压源而启动所述设备。
11.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述第一控制电路被配置为:维持所述第一开关处于导通状态,直到所述第三节点处的电位基本上等于所述第一节点处的所述输入电压。
12.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述第一控制电路被配置为:向所述第一开关的控制端子供应所述第三节点处的电位和所述第一节点处的电位之间的最高电位。
13.根据权利要求10所述的电子设备,其中所述第一控制电路被配置为:向所述第一开关的控制端子供应所述第三节点处的电位和所述第二节点处的电位之间的最高电位。
14.根据权利要求11所述的电子设备,其中第二开关将所述第二节点耦合到施加参考电位的第四节点,并且其中所述第一控制电路被配置为:一旦所述第一节点的电位和所述第三节点的电位基本上相等,就以脉冲宽度调制来控制所述第二开关。
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