[发明专利]金属侧壁的制备方法及器件结构

权利要求书

1.一种金属侧壁的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底，并于所述衬底的上表面由下至上依次形成金属薄膜层及掩膜图形层，其中所述掩膜图形层暴露出部分所述金属薄膜层，所述金属薄膜层的厚度大于等于30nm；

以所述掩膜图形层为刻蚀掩膜，采用离子束刻蚀工艺对所述金属薄膜层进行刻蚀，以于所述金属薄膜层中形成刻蚀沟槽，同时利用刻蚀过程中金属原子的再沉积于所述掩膜图形层的侧壁表面形成金属侧壁；其中所述刻蚀沟槽的宽度小于等于20μm，通过调节所述离子束刻蚀工艺的刻蚀时间、离子束电压、离子束电流及/或样品台角度来调节所述金属侧壁的厚度；

对所述金属侧壁进行掩膜去除处理，以去除所述金属侧壁外表面的掩膜图形层。

2.根据权利要求1所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，所述离子束刻蚀工艺中离子束电压介于50V～500V之间，离子束电流介于50mA～500mA之间，样品台角度介于0°～70°之间。

3.根据权利要求2所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，所述金属侧壁的厚度介于1nm～500nm之间。

4.根据权利要求1所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射、电子束蒸发或蒸镀工艺形成所述金属薄膜层。

5.根据权利要求4所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射工艺形成金属铌层时，所述磁控溅射工艺在真空度小于3*10^-5Pa的环境中进行。

6.根据权利要求1所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，于所述金属薄膜层的上表面形成掩膜材料层，并对所述掩膜材料层进行图形化处理以形成所述掩膜图形层。

7.根据权利要求1或6所述的金属侧壁的制备方法，其特征在于，所述金属侧壁的高度与所述掩膜图形层的高度正相关，所述金属侧壁相对于所述金属薄膜层的垂直度与形成所述掩膜图形层的光刻精度或光刻和刻蚀精度正相关。

8.一种采用如权利要求1-7任一项所述金属侧壁的制备方法形成的具有金属侧壁的器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：

衬底，

金属薄膜层，形成于所述衬底的上表面；

刻蚀沟槽，形成于所述金属薄膜层中；

金属侧壁，形成于所述刻蚀沟槽的侧壁表面且沿所述刻蚀沟槽的侧壁向上延伸；

其中，所述金属薄膜层的厚度大于等于30nm，所述刻蚀沟槽的宽度小于等于20μm。

9.根据权利要求8所述的器件结构，其特征在于，所述金属侧壁的厚度介于1nm～500nm之间。