[发明专利]空间电荷转移化合物及有机发光二极管和显示装置

权利要求书

1.一种式1的空间电荷转移化合物:

[式1]

其中，X是碳或氮,

其中，A选自式2，并且D选自式3:

[式2]

[式3]

其中，X1、X2和X3中的每一个独立地为碳或氮，并且X1至X3中的至少一个为氮，

其中，R1和R2各自独立地选自由氢、C1至C10烷基和C6至C30芳基组成的集合，

其中，R3是氰基，R4是杂芳基，

其中，R5选自由氢和杂芳基组成的集合。

2.根据权利要求1所述的空间电荷转移化合物，其中A选自式4:

[式4]

3.根据权利要求1所述的空间电荷转移化合物，其中D选自式5:

[式5]

4.根据权利要求1所述的空间电荷转移化合物，其中所述空间电荷转移化合物是式6的化合物的一种:

[式6]

5.根据权利要求1所述的空间电荷转移化合物，其中，在所述空间电荷转移化合物的单线态能级与所述空间电荷转移化合物的三线态能级之间的差值小于0.3eV。

6.一种有机发光二极管，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；和

在所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光材料层，所述第一发光材料层包括如权利要求1所述的空间电荷转移化合物。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层还包括第一主体，所述空间电荷转移化合物用作掺杂剂。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中在所述第一主体的HOMO与所述掺杂剂的HOMO之间的差值或在所述第一主体的LUMO与所述掺杂剂的LUMO之间的差值小于0.5eV。

9.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层还包括主体和第一掺杂剂，并且所述空间转移化合物用作第二掺杂剂，

其中所述第二掺杂剂的单线态能级大于所述第一掺杂剂的单线态能级。

10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第二掺杂剂的三线态能级小于所述主体的三线态能级并且大于所述第一掺杂剂的三线态能级。

11.根据权利要求7所述的有机发光二极管，还包括:

第二发光材料层，包括第二主体和第一荧光掺杂剂并位于所述第一电极和所述第一发光材料层之间。

12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，还包括：

在所述第一电极和所述第二发光材料层之间的电子阻挡层，

其中所述第二主体与所述电子阻挡层的材料相同。

13.根据权利要求11所述的有机发光二极管，还包括：

第三发光材料层，包括第三主体和第二荧光掺杂剂并位于所述第二电极和所述第一发光材料层之间。

14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，还包括：

在所述第二电极和所述第三发光材料层之间的空穴阻挡层，

其中所述第三主体与所述空穴阻挡层的材料相同。

15.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述空间电荷转移化合物的单线态能级大于所述第一荧光掺杂剂的单线态能级和所述第二荧光掺杂剂的单线态能级中的每一个。