[发明专利]一种高性能滚塑箱在审
申请号: | 201910507385.3 | 申请日: | 2019-06-12 |
公开(公告)号: | CN110204823A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 周卫中;林志杨;蒋建斌;向军 | 申请(专利权)人: | 金华市捷特包装有限公司 |
主分类号: | C08L23/08 | 分类号: | C08L23/08;C08L5/08;C08L5/16;C08K13/06;C08K9/10;C08K7/08;C08K3/22;C08K3/08;C08K9/04 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 彭啟强 |
地址: | 321071 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 滚塑箱 母料 茂金属线性低密度聚乙烯 功能助剂 线性低密度聚乙烯 纳米二氧化钛层 碳酸钙晶须 包装箱 抗冲击性 抗菌性能 抗氧化剂 耐紫外线 环糊精 外包覆 质量比 阻燃剂 掺银 接枝 老化 | ||
本发明公开了一种高性能滚塑箱,涉及滚塑箱技术领域,一种高性能滚塑箱,原料包括茂金属线性低密度聚乙烯和母料,母料包括以下原料:β‑环糊精接枝线性低密度聚乙烯、功能助剂、抗氧化剂、阻燃剂,功能助剂是以碳酸钙晶须为核心,核心外包覆有掺银纳米二氧化钛层,其中茂金属线性低密度聚乙烯和母料的质量比为1:(2‑5)。本发明的一种高性能滚塑箱,具有较好耐紫外线老化的性能,且具有较好的韧性、抗冲击性、抗菌性能,能够在一定程度上满足军用包装箱的要求。
技术领域
本发明涉及滚塑箱技术领域,尤其涉及一种高性能滚塑箱。
背景技术
军用包装箱相对于普通的包装箱,要求具有更好韧性、抗冲击性、阻燃性、抗菌性、防霉性等,但是现有包装箱中,木质包装箱强度低、防护性能差,易受虫蛀鼠咬,易燃助燃;钢质包装箱强度高,但易锈蚀,碰撞易产生火花,导热速度快,储存运输危险品存在安全隐患;玻璃钢材质较脆、耐低温性能差、抗冲击时容易变形,使用寿命短,性价比较低;较轻的碳纤维材质的包装箱抗冲击性能差,而且价格过高,性价比低;而塑料材质的包装箱通过对原材料及制作工艺的选择和改进,能够在一定程度上满足军用包装箱的要求。
目前,塑料制品的加工工艺主要包括吸塑、注塑、吹塑、挤塑以及滚塑成型,其中,塑料包装箱的制备主要采用的是吹塑成型和滚塑成型工艺,吹塑成型得到的塑料包装箱抗冲击性能差,为了提高抗冲击性能而进行增厚处理势必会造成包装效率低、重量重;滚塑成型又称旋塑、旋转成型、旋转模塑、旋转铸塑、回转成型等。滚塑成型工艺过程是将定量的粉状树脂装入模具,对模具加热同时模具绕互相垂直的两个轴向旋转,从而使树脂熔融涂布于模腔表面,经冷却脱模得到制品,相对于其他成型方式,滚塑成型设备和模具投资少,制品几乎没有内应力,因此,采用滚塑成型工艺制备军用包装箱相对更能满足其高性能要求。
滚塑成型工艺由于其特殊的加工方法,目前所使用的原材料90%以上都是使用的聚乙烯,其中,聚乙烯原料中99%是使用的线性低密度聚乙烯,但是未改性的单一的线性低密度聚乙烯耐长期老化性差,长时间使用会出现发黄,甚至出现粉化的现象,特别是受到紫外线的照射时,更容易老化。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于设计提供一种高性能滚塑箱,具有较好耐紫外线老化的性能,且具有较好的韧性、抗冲击性、抗菌性能,能够在一定程度上满足军用包装箱的要求。
本发明通过以下技术手段解决上述技术问题:
一种高性能滚塑箱,其原料包括茂金属线性低密度聚乙烯和母料,所述母料包括以下原料:β-环糊精接枝线性低密度聚乙烯、功能助剂、抗氧化剂、阻燃剂,所述功能助剂是以碳酸钙晶须为核心,核心外包覆有掺银纳米二氧化钛层。
本发明的滚塑箱,在原料中加入了茂金属线性低密度聚乙烯,相对于线性低密度聚乙烯,茂金属线性低密度聚乙烯具有更优异的韧性、抗冲击性能,将其和母料进行配合使用,一方面能够在一定程度上增加滚塑箱的韧性和抗冲击性能,另一方面,通过调整合适的茂金属线性低密度聚乙烯和母料之间的配比,制备得到的滚塑箱既能满足军用包装箱对韧性和抗冲击性能的要求,且和全部使用茂金属线性低密度聚乙烯作为原料相比,生产成本相对较低。
本发明母料中的功能助剂是以碳酸钙晶须为核心,核心外包覆有掺银纳米二氧化钛层,碳酸钙晶须作为无机添加剂,能够增加母料的韧性、抗冲击性以及耐磨性能,而在碳酸钙晶须外包覆的掺银纳米二氧化钛层,一方面,二氧化钛能够将太阳光中的紫外线的能够进行散射或吸收,从而导致其不足以使得聚合物分子链断裂,以此增加了滚塑箱耐紫外线老化的性能,同时银的掺杂,不仅使得纳米二氧化钛发生红移,增加了纳米二氧化钛对紫外光的吸收量,进而增加了滚塑箱的耐紫外线老化性能,同时由于银的存在,增加了滚塑箱的抗菌性能,而本发明中功能助剂的结构设置,掺银纳米二氧化钛将碳酸钙晶须进行包覆,阻碍了碳酸钙晶须之间、掺银纳米二氧化钛之间的团聚,使得其在基体中能够分散更均匀。
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