[发明专利]一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法

权利要求书

1.一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，步骤如下：

A、以非晶碳为阻变层制备非晶碳忆阻器；

B、将制备得到的非晶碳忆阻器连接到电路中；

C、对非晶碳忆阻器施加一个微小电流，使微小电流流过非晶碳忆阻器；

D、对非晶碳忆阻器施加正向偏压，完成非晶碳忆阻器的电元初始化过程；

E、使用源表施加反向偏压，完成非晶碳忆阻器关闭过程；

F、经D、E步骤后，使用源表反复施加正向偏压、反向偏压，实现非晶碳忆阻器的开启与关闭过程。

2.根据权利要求1所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述微小电流数值范围为1μA-100μA，施加时间为50s-1000s。

3.根据权利要求1或2所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述正向偏压的方向规定由顶电极至底电极方向。

4.根据权利要求1或2所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述非晶碳忆阻器从下往上依次为底电极、非晶碳阻变层和顶电极。

5.根据权利要求3所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述非晶碳忆阻器从下往上依次为底电极、非晶碳阻变层和顶电极。

6.根据权利要求1、2或5所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述顶电极的材质为活性金属；所述阻变介质层的材质为非晶碳材料；所述底电极的材质为惰性金属。

7.根据权利要求3所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述顶电极的材质为活性金属；所述阻变介质层的材质为非晶碳材料；所述底电极的材质为惰性金属。

8.根据权利要求4所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述顶电极的材质为活性金属；所述阻变介质层的材质为非晶碳材料；所述底电极的材质为惰性金属。

9.根据权利要求1、2、5、7或8所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述顶电极的材质为Cu、Ag；所述底电极的材质为Pt、Au。

10.根据权利要求6所述的一种电流预作用提升非晶碳忆阻器阻变可靠性的方法，其特征在于，所述顶电极的材质为Cu、Ag；所述底电极的材质为Pt、Au。