[发明专利]一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法

权利要求书

1.一种提高钕铁硼晶界扩散深度的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）预处理：将切片的钕铁硼磁体除油去污处理，再通过稀硝酸酸洗并烘干；

（2）均匀涂层：将钕铁硼磁体表面涂敷一层20mg/cm²~30mg/cm²厚的均匀渗材涂层；

（3）热处理工艺：

第一次回火：将涂敷渗材涂层的钕铁硼磁体放入高真空烧结炉内热处理，从常温经过0.5~1.5小时升温到400~500℃保温3~5h；再经过1.5~3小时升温至800~820℃，保温3~5小时；再依次经过10~30min升温10~30℃，每次升温后保温3~5小时，直至升温至900~1000℃保温1~3h；

第二次回火：结束第一次回火后风冷至50℃以下，再经过1~2h升温到450~550℃并保温2~4h完成第二次回火，得到目标产品；

步骤（2）所述渗材选自DyH或TbF。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述钕铁硼磁体切片成厚度为5~9mm厚的钕铁硼磁片。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述稀硝酸质量百分比为3%~5%。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述将钕铁硼磁体表面涂敷一层25mg/cm²~30mg/cm²厚的均匀渗材涂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述渗材为用渗材在高能球磨机中球磨而成，溶剂选自乙醇或石油醚，所述渗材DyH粒度为3um~10um；所述渗材TbF粒度为1um~3um。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤（2）渗材和溶剂的重量比为1：1~1：2。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述渗材通过喷涂、磁控溅射或浸泡方式涂敷在钕铁硼磁体表面。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述第一次回火为：将涂敷渗材涂层的钕铁硼磁体放入高真空烧结炉内热处理，从常温经过1~1.5小时升温到450~500℃保温3~4h；再经过2~2.5小时升温至800~820℃，保温4~5小时；再依次经过10~20min升温20~30℃，每次升温后保温3~4小时，直至升温至900~950℃保温2~3h。